미국 CNN 방송은 앞으로 2년 안에 일부 지원자에게 기억력 보조 메모리 장치가 이식될 것이라고 8일(현지시간) 소개했다. CNN은 향후 5~10년 안에 환자에게 이식이 가능할 것으로 내다봤다.
연구진은 멀쩡한 뇌 부위에서 만들어진 기억을 기록한 뒤 데이터로 손상 부위에서 벌어질 일에 대해 예측했다. 이어 손상 부위 세포가 멀쩡한 부위의 세포 활동을 모방하도록 전기로 자극했다.
연구진은 순간 기억을 장기 기억으로 바꾸는 대뇌 측두엽의 '해마'에 집중했다. 연구진은 신경세포인 뉴런으로 전해지는 전기신호가 장기 기억을 만드는 방식에 대해 탐구했다. 그리고 이런 과정을 수학적으로 모델링했다. 이후 생쥐와 원숭이를 대상으로 한 실험에서 뇌 활동이 전기신호로 대체될 수 있음이 입증됐다.
하지만 회의적인 시각도 있다. 존스홉킨스 의대의 콘스탄틴 리케초스 교수는 "뇌의 각 부분 기능이 서로 중첩된다"며 "따라서 뇌의 일부가 손상돼도 상당한 역할을 지속할 수 있지만 기억도 뇌 전반에서 이뤄져 이를 모방하기가 쉽지 않다"고 말했다.
지연진 기자 gyj@
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