올해 역대 최대 시설 투자 계획
$pos="C";$title="삼성전자 평택 반도체 공장 전경";$txt="삼성전자 평택 반도체 공장 전경(사진=아시아경제DB)";$size="550,412,0";$no="2017051510083676008_1.jpg";@include $libDir . "/image_check.php";?>
[아시아경제 강희종 기자]삼성전자가 올해 반도체 시설투자(CAPEX)에만 20조원 이상을 투입하기로 했다. 역대 최대 규모다. 대규모 투자를 통해 '초기술 격차'를 유지하겠다는 의도다. 디스플레이 등 다른 시설투자를 합치면 전체 시설투자 규모는 30조원을 넘어선다.
삼성전자가 이처럼 대규모 투자를 단행하는 것은 반도체 경쟁력이 '투자 타이밍'에 있다는 판단에서다. 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI)을 핵심으로 하는 4차 산업 혁명이 본격화되면서 모바일 기기와α 데이터센터에 필요한 메모리 반도체 수요가 크게 증가하는 상황이다. 이런 가운데 삼성전자는 수요가 급증하고 있는 낸드 플래시 분야에서 적기에 생산량을 확대해 후발 사업자들과의 초격차를 벌이겠다는 전략이다. '반도체 굴기'를 앞세운 중국이 한국을 뒤쫓고 있는 상황도 감안한 것으로 보인다.
올해 삼성전자의 시설투자는 D램보다는 낸드플래시에 집중되고 있다. 삼성전자는 6월말 가동을 앞둔 평택 고덕산업단지 내 18라인의 3차원(3D) 낸드 플래시 생산 규모를 지속적으로 증설할 계획이다. 낸드플래시 생산 시설을 화성에서 평택으로 이전하면서 화성에는 D램 투자가 계획돼 있다. 중국 시안의 3D 낸드플래시 2기 투자도 시작할 계획이다.
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강희종 기자 mindle@asiae.co.kr
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