삼성전자, 3D-TSV 32GB D램 모듈 개발

[아시아경제 박지성 기자] 삼성전자 가 업계 최초로 '3D-실리콘 관통전극(TSV)' 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다.

3D-TSV 기술은 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법이다.

삼성전자는 30나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 3D-TSV 32GB RDIMM을 개발해 서버 고객 및 중앙처리장치(CPU) 업체에 제공하기 시작했다고 17일 밝혔다.

삼성전자는 기존 32GB RDIMM 제품이 탑재된 서버가 800Mbps로 동작하는데 비해 이번 3D-TSV 32GB RDIMM 제품을 탑재할 경우 속도가 기존 서버 대비 67% 빠른 1333Mbps까지 구현된다고 설명했다. 소비전력도 4.5W로 기존 제품보다 30% 이상 절감했다.

홍완훈 삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 부사장은 "32GB TSV 서버 모듈 제품은 차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능·저전력 특성을 확보했다"며 "향후 더욱 성능을 높인 대용량 메모리 공급으로 프리미엄 그린메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것"이라고 말했다.

박지성 기자 jiseong@