삼성-IBM, 20나노 이하급 차세대 로직공정 공동개발

[아시아경제 김진우 기자] 삼성전자 는 미국의 IBM과 공동으로 20나노와 20나노 미만의 차세대 로직공정 공동개발에 착수했다고 13일 밝혔다. 양사는 그동안 전략적 제휴를 맺고 지난 2005년부터 첨단 로직공정을 공동 개발, 65나노·45나노·32나노 공정기술을 완성한 바 있다.

20나노 이하의 로직공정은 스마트폰과 태블릿PC 등 모바일 기기용 반도체 뿐만 아니라, 고성능 컨슈머 기기 및 클라우딩 컴퓨팅 분야에도 널리 사용될 차세대 공정기술이다. 이번 20나노 이하급 공정개발은 IBM의 뉴욕연구소와 삼성전자 반도체연구소에서 공동으로 추진할 예정이다.

이를 위해 삼성전자는 뉴욕 알바니 나노테크 센터에 위치한 SRA(Semiconductor Research Alliance)에 참여, 20나노 미만 차세대 공정개발을 위한 기초 단계인 신물질 개발 및 트랜지스터 구조 개발과 같은 선행연구개발도 진행한다.

정은승 반도체사업부 시스템LSI 기술개발팀 전무는 "선행연구개발을 통해 양사의 차세대 공정능력을 강화시키고, 지속적인 기술 리더십을 유지할 것"이라고 말했으며, IBM 반도체 부문 마이클 캐디건 대표도 "선행연구개발 단계에서부터 삼성과 협력하게 되어 매우 기쁘다"고 소감을 밝혔다.

한편 삼성전자·IBM·글로벌 파운드리즈(Global Foundries) 등이 참여하고 있는 커먼 플랫폼(Common Platform)은 오는 18일 미 산타클라라 컨벤션센터에서 커먼 플랫폼 테크 포럼(Common Platform Technology Forum)을 개최, 차세대 반도체 기술 및 솔루션에 대해 논의하는 자리를 마련할 계획이다.

김진우 기자 bongo79@