하이닉스, 반도체 新성장시대 '20'으로 최고 등극한다

[아시아경제 박성호 기자]하이닉스가 최근 D램가 급락 등 시황부진을 타개하기 위해 차세대 제품 20나노급 D램 양산을 내년 초 본격화한다. 또 연내 차세대 낸드플래시 20나노급 제품 양산에도 돌입한다.

이 같은 조치는 반도체 수요가 지속적으로 증가하고 중요성도 커지는 반면 업계 과점화 및 기술한계, 수요특성 고도화에 따른 공급증가는 제한적인 '메모리 신(新)성장시대'에서 '세계 최고의 메모리반도체 전문회사'로 도약하기 위해서다.

17일 하이닉스는 현재 양산중인 30나노급 D램 비중을 연말까지 40%로 확대하고 차세대인 20나노급 D램 개발을 완료해 내년 초부터 양산할 계획이라고 밝혔다. 특히 20나노급 낸드플래시 제품 비중을 연말까지 70%로 확대하는 것은 물론, 차세대 20나노 제품도 연내 양산을 시작할 방침이다.

하이닉스 관계자는 "차세대 제품 양산으로 기술력 및 원가경쟁력에서 선두업체와의 격차는 거의 사라지는 반면 후발주자와의 차별화는 더욱 분명해질 것"이라고 전망했다.

하이닉스는 최근 PC용 D램 위주에서 모바일, 그래픽, 서버용 D램과 같은 스페셜티 제품 비중을 늘리는 데도 주력하고 있다.

스페셜티D램은 최근 가격급락이 이어지고 있는 일반 PC용 D램에 비해 가격이 높으면서 변동성이 적어 안정적인 수익창출이 가능하기 때문이다.

이 회사의 스페셜티 제품 비중은 2007년 전체 D램 중 40%였지만 작년 연말에는 60%, 그리고 올해는 70% 이상으로 확대됐다.

하이닉스의 이 같은 성과 이면에는 '치킨게임' 속에서도 지속적으로 진행된 꾸준한 연구개발이 자리잡고 있다.

이 회사의 연구개발(R&D)투자액은 2006년 4017억원에서 매년 확대, 작년에는 8014억원으로 2배나 급증했다.

이에 따라 작년에는 연결기준 매출 12조1070억원, 영업이익 2조9750억원으로 사상최대 실적을 달성하기도 했다.

하이닉스는 업계에서 제기하고 있는 공정미세화의 한계에도 선제대응하고 있다. 다양한 융ㆍ복합 메모리 수요에 대응하기 위해 차세대 메모리 개발에 내부자원 중 상당부분을 할애하고 있는 것이다.

최근에는 일본 도시바와 차세대 메모리 중 가장 유망한 제품으로 평가받고 있는 STT-M램(이하 M램)과 관련해 개발ㆍ 생산ㆍ특허 등 전략적 제휴를 체결했다. M램은 자성의 상태에 따른 저항의 차이를 이용한 메모리반도체로 초고속 저전력으로 동작하며 전원공급 없이도 데이터를 저장하는 비휘발성의 장점과 데이터 안정성을 두루 갖춘 차세대 메모리다.

또 지난해에는 미국 휴렛팩커드(HP)와 '멤리스터' 기술을 적용한 Re램 공동개발에 착수하기도 했다. Re램은 외부 전압 및 전류에 의해 물질의 저항특성이 변화하는 원리를 이용한 메모리반도체로 낸드플래시의 속도 및 대용량화 한계를 모두 극복할 수 있는 에너지효율이 뛰어난 차세대 메모리로 이번 공동개발을 통해 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 될 전망이다.

하이닉스 고위관계자는 "메모리 신성장시대를 맞아 고부가가치 위주의 제품전략을 기본 방향으로 설정, 무리한 투자확대로 생산을 늘리기보다 미세공정 전환 가속화 및 점점 다양해지는 수요에 대응하기 위해 제품 포트폴리오를 개선해 나가고 있다"고 말했다.

특히 그는 "'최고=최대'를 뜻하지는 않는다"며 "최고 메모리 반도체 및 솔루션을 통해 이해관계자 모두에게 최상의 만족과 가치를 제공하고 나아가 국가와 인류사회 발전에 기여하는 것이 최고 반도체 회사의 최고의 가치"라고 강조했다.

한편 권오철 하이닉스 사장은 "세계 최고의 메모리반도체 회사와 함께 '함께 더불어 성공하는 성공공동체 정신'이라는 비전의 동반달성을 위해 고객을 위한 좋은 가치 생산으로 고객과 회사에 함께 이익을 주고 주주에게는 투자수익을 환원하는 것은 물론, 회사는 정직한 세금을 비롯한 다양한 방법으로 사회에 기여하는 선순환적 구조 창출에 주력할 것"이라고 밝혔다.



박성호 기자 vicman1203@