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DNA 나노구조물 이용한 반도체 특성 향상기술 개발

최종수정 2014.11.26 06:00 기사입력 2014.11.26 06:00

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[아시아경제 최동현 기자] 미래창조과학부는 국내 연구진이 금속이온이 도핑된 DNA 나노구조물을 활용해 2차원 나노반도체를 아주 낮은 농도로 재도핑하는 기술을 개발했다고 26일 밝혔다.

기존에는 불순물의 농도를 미세하게 조절하는 이온 임플란테이션 방식이 물리적인 힘으로 인해, 두께 1나노미터 이하의 얇은 2차원 나노반도체의 결정성을 깨뜨리는 한계가 있었다.

그러나, 이번 연구는 양전하를 띠는 금속이온과 음전하를 띠는 DNA의 특성을 토대로 각각 아래에 놓인 반도체의 전자와 정공을 끌어당기는 원리를 이용했다. 제곱 센티미터 면적당 1011개 이하의 전자 및 정공 농도를 조절하는 정밀도 기술로 기존의 2차원 나노반도체 도핑기술이 제곱센티미터 면적당 약 1012개 이상의 농도로 결정체를 깨뜨리지 않고 도핑한 것으로써 반도체 특성을 크게 향상시킨 것이다.

2차원 나노 반도체 특성을 향상시키기 위해서는 불순물 도핑시, 반도체 내 전자와 정공의 농도를 조절할 수 있어야 하는 데 이 때 2차원 나노 반도체의 결정성을 깨뜨리지 않고 불순물의 종류와 농도를 조절하는 것이 소자 개발의 관건이었다.

이번 연구는 정밀한 도핑농도 조절로 전류 및 정공의 이동도를 향상시키고 광 검출능력 등을 높일 수 있어 2차원 나노반도체의 최적화를 위한 실마리가 될 것으로 미래부는 기대하고 있다.

이번 연구에 참여한 박진홍 성균관대 전자전기공학부 교수, 노용한 교수, 물리학과 박성하 교수 및 박형열 박사과정 연구원(제 1 저자)의 연구결과는 나노분야 국제학술지 에이시에스 나노(ACS Nano)지 10월29일자 온라인판에 게재됐다.

박진홍 교수는 "DNA 나노기술과 2차원 나노반도체 기술을 융합, 2차원 소자의 성능제어와 최적화에 쓸 수 있는 1010cm-2 수준의 도핑기술 개발로 국내 2차원 트랜지스터, 센서, 태양전지 같은 다양한 전자 및 광전소자 분야에 기여할 것"이라고 밝혔다.
최동현 기자 nell@asiae.co.kr

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