국내연구진, '10배 빠른 플래시메모리 기술' 개발

인텔 능가하는 플래시메모리 기술

[아시아경제 김철현 기자]국내연구진이 32GB급 대용량 데이터를 기존보다 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 'NOR 플래시 메모리 원천기술'을 세계 최초로 개발했다.

교육과학기술부는 '21세기 프론티어사업' 테라급 나노소자개발사업단(단장 이조원)의 지원을 받은 서울대 박병국 교수팀이 고집적·대용량·고속 정보처리가 가능한 '원뿔구조의 NOR 플래시 소자'를 개발하는 데 성공했다고 20일 밝혔다.

이번 연구결과는 美 전기전자학회 전자소자誌(IEEE Electron Device Letters) 2009년 12월호에 게재됐다.

연구팀에 따르면 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 'D램'과 달리 전원이 꺼진 상태에서도 정보를 저장할 수 있는 플래시메모리는 회로형태에 따라 'NAND형'과 'NOR형'으로 구분된다. 낸드플래시는 NOR형 보다 고집적·대용량화에 유리해 디지털 카메라, MP3플레이어 등에 주로 쓰이고, NOR형은 처리속도가 빨라 휴대폰에 많이 쓰이고 있다.

연구팀 관계자는 "현재 NOR 플래시메모리는 평면형 구조로 정보기록 속도가 느리고, 배선 구조상의 문제로 효율이 저하되는 등 향후 5년 이내에 성능과 집적도 증가에 한계가 올 것으로 예상된다"며 "이번에 개발한 원뿔 구조의 NOR 플래시메모리 소자는 기존에 비해 정보처리 속도가 10배 이상 빠르고, 고집적화로 32GB 이상 대용량 저장이 가능하다"고 설명했다. 원뿔 형태를 통해 정보 기록과 삭제 효율을 획기적으로 향상시켰다는 것이다.

또한 배선 구조상 추가적인 면적을 차지하지 않기 때문에 집적도를 낸드플래시 수준으로 끌어올릴 수 있어 32GB급 이상 NOR 플래시메모리의 상용화를 앞당길 수 있을 것으로 전망된다.

이조원 테라급나노소자개발사업단장은 "이번에 개발된 원천기술인 원뿔 구조가 기존의 평면 구조를 대체할 수 있어 현재 NOR 플래시메모리 시장을 주도하고 있는 인텔을 능가하는 경쟁력을 확보하게 됐다"고 말했다.

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김철현 기자 kch@asiae.co.kr