[특징주]코스텍시스, 삼성 실리콘 한계 극복 GaN '낙점'…반도체 핵심 신소재 '선점' 부각

저열팽창 고방열 소재 부품 전문기업 코스텍시스 가 강세다. 삼성전자가 질화갈륨(GaN) 전력반도체에 본격적으로 투자할 것이라는 소식이 주가에 영향을 주는 것으로 보인다.

코스텍시스는 2일 오전 10시17분 기준 전거래일 대비 230원(7.52%) 오른 3290원에 거래됐다.

코스텍시스는 이날 산업통상자원부 소재부품기술개발사업 과제에 공동연구개발 기관으로 선정됐다고 밝혔다. 정부 과제명은 ‘초고주파 GaN MMIC(마이크로파 직접회로) 전용 패키지 개발 및 패키징 후공정 개발’이다. 코스텍시스가 담당하는 부분은 초고주파 저손실, 고방열, 점검기능 경로제공 GaN MMIC 전용 패키지 개발과 전력 소자에서 발생한 열을 외부로 방출이 용이하게 하는 열설계 구현이다.

연구개발 기간은 2026년 12월 31일까지이며 정부지원 연구개발비는 약 28억원 규모다. 정부과제 기대 효과는 GaN MMIC 전력증폭기 제품의 국산화 및 가격경쟁력 확보를 통한 수입 대체 및 수출 증가와 관련 산업과의 시너지 등이 있다.

코스텍시스 관계자는 "저열팽창 고방열 소재 기술력을 인정받아 이번 과제에 선정됐다"며 "현재 캐시카우 역할을 하는 무선주파수(RF) 분야에서도 지속해서 사업을 확대해 나갈 수 있을 것으로 기대한다"고 설명했다. 이어 "무엇보다 당사의 핵심 소재 기술이 차량용 전력반도체는 물론 통신용 시장, 그리고 더 나아가 SiC(실리콘 카바이드), GaN(질화갈륨) 반도체 등 차세대 화합물 반도체가 적용되는 다양한 분야로 확대될 수 있는 가능성을 보여준다는데 그 의의가 크다"고 강조했다.

아울러 "코스텍시스 소재 기술력이 적용될 수 있는 분야를 개척해 지속해서 성장하는 글로벌 탑티어 소재 부품 기업이 되도록 최선을 다하겠다"고 포부를 밝혔다.

한편 코스텍시스는 최근 글로벌 전력반도체 전문기업에 차량용 전력반도체 고방열 스페이서 초도 수주계약을 체결했다.

삼성전자는 화합물 반도체 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 진출을 선언한 바 있다. 최근 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에선 "2025년부터 화합물 반도체의 일종인 GaN 전력 반도체(파워 반도체)의 컨슈머·데이터센터·오토모티브용 8인치 제품 파운드리 서비스를 시작한다"고 밝혔다. GaN은 탄화규소(SiC)와 함께 차세대 전력반도체 소재로 고온, 고압에 약한 기존 실리콘 반도체 한계를 극복하기 위해 태동한 분야다.

삼성전자뿐만 아니라 DB하이텍, 키파운드리 등이 GaN 파운드리 시장 진출을 서두르고 있다. 대만 TSMC는 2020년 6인치 질화갈륨 반도체 위탁생산을 시작했으며, DB하이텍과 SK하이닉스 자회사 키파운드리 등도 8인치 질화갈륨 공정 개발에 적극적으로 나섰다.

최근 독일 반도체 장비업체 엑시트론의 최고경영자(CEO)가 비밀리에 한국을 방문해 관련 업체들과 접촉한 것으로 파악됐다. 한 IT 전문 매체는 삼성전자가 엑시트론과의 만남에서 최소 7000억~8000억원에 이르는 설비 투자를 논의한 것으로 알려졌다고 보도했다.

GaN은 기존 실리콘 반도체 대비 고온·고압 내구성, 전력 효율성 등이 높아 IT·통신·자동차 등 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가할 것으로 전망되는 차세대 전력반도체 소재다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전세계 GaN 시장 규모는 지난해 2억9200만 달러에서 2026년 17억6800만 달러로 연평균 57% 성장할 것으로 관측했다.

기존 실리콘 반도체 대비 고온 고전압 내구성, 전력효율이 좋은 GaN 전력 반도체는 전기차 내부의 온보드 충전기와 직류를 교류로 변환시키는 컨버터 등에 활용될 가능성이 있다. 현재 차량용 반도체 업체들은 해당 반도체 재고를 수개월 치만 확보한 것으로 알려졌다.

유현석 기자 guspower@asiae.co.kr