삼성전자, 세계 최초 '10나노급 D램 시대' 열었다

미세공정 한계로 여겨지던 10나노대 벽 허물어, 경쟁사 20나노 양산도 버거워해

[아시아경제 김은별 기자] 삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었다. D램 미세공정 기술의 '마의 벽'으로 여겨지던 10나노대 D램을 양산하면서 메모리 반도체 기술의 새로운 이정표를 세웠다.

삼성전자는 지난 2월부터 회로 선폭이 18나노(1나노 : 10억분의 1미터)인 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램 양산을 시작했다고 5일 밝혔다.

메모리 반도체는 반도체 회로 선폭을 줄이는 미세화 작업을 통해 진보해왔다. 회로 선폭을 줄이면 메모리 성능이 좋아질 뿐 아니라, 한 장의 웨이퍼(반도체의 원재료인 실리콘 기판)에서 생산할 수 있는 반도체 수도 늘어난다. 제품 성능과 생산 효율이 동시에 좋아진다.

당초 D램에서 20나노는 좀처럼 깨기 힘든 벽으로 여겨졌다. 그러나 삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 D램을 양산한 데 이어, 2년 만에 20나노의 벽을 넘어섰다.

삼성전자는 앞으로 10나노급 D램의 생산 비중을 계속 늘려나갈 계획이다. PC D램을 시작으로 모바일 D램, 엔터프라이즈 서버 시장까지 풀 라인업을 구축한다는 전략이다. 프리미엄 D램으로 메모리반도체 시장에서 압도적인 1위를 굳히겠다는 뜻이다.

삼성전자 메모리사업부는 20나노 D램 양산에 활용한 여러 기술을 업그레이드, 18나노 D램에 적용했다. '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다.

D램 공정의 한계를 기술력으로 극복한 만큼, 삼성전자는 이 기술을 적용해 10나노 중반대의 D램도 적기에 양산할 수 있을 것으로 보고 있다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며 "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다.




김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr