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韓연구진, 0나노 반도체 공정 원천 기술 확보

최종수정 2021.04.15 12:00 기사입력 2021.04.15 12:00

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김대식 UNIST 교수팀, 0나노미터 시작 초미세 틈 구조 제작 공정 개발

韓연구진, 0나노 반도체 공정 원천 기술 확보
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[아시아경제 김봉수 기자] 국내 연구진이 0나노미터(nm) 크기의 반도체 소자 제조 공정의 원천 기술을 개발했다.


울산과학기술원(UNIST)은 물리학과 김대식 특훈 교수 연구팀이 0나노미터부터 시작하는 초미세 틈 구조(zero gap) 제작 공정을 개발했다고 15일 밝혔다. 삼성전자나 TSMC 등은 최근 들어 3나노 공정의 반도체 소자 제작 기술을 개발해 양산 체제 전환을 위한 경쟁을 벌이고 있는 상태다. 이 상황에서 몇 단계 더 앞선 0나노 공정의 원천 기술을 한국 연구진이 개발해 향후 어떤 영향을 미칠 지 주목된다.

‘제로 갭 구조’를 잘 휘어지는 기판에 만들면 안테나 등에 쓸 수 있는 초고효율 광학 능동 소자로 작동한다. 연구진이 개발한 제로 갭 구조는 얇은 금속 층으로 이뤄져 있다. 기판위에 두 금속 층을 서로 인접하게 쌓을(증착) 경우 경계면에서만 초미세 열이 생기는 원리를 이용했다. 같은 금속 물질을 서로 다른 조건에서 기판 위에 쌓았기 때문에 이 같은 현상이 발생한다. 기판을 휘게 해 당기는 힘(장력)을 가하면 0 나노미터에 가까운 틈새가 생기지만 장력을 제거하면 두 금속 층이 연결된 상태가 된다.


이처럼 열고 닫을 수 있는 제로 갭(틈) 구조는 전자기파(빛) 투과도가 1에 가까운 ‘on’과 10-5 정도인 ‘off’ 상태를 오가는 능동 광학 소자로 쓸 수 있다. 틈이 열려 있을 땐 축전 효과에 의해 틈 내부에 전기장이 강하게 증폭돼 전자기파가 높은 비율로 투과하지만, 틈이 일부만 닫히더라도 축전 기능이 사라져 투과도가 급격히 낮아지기 때문이다. 스위칭의 효율을 나타내는 on/off 비율은 무려 105에 달하며, on/off 전환을 무려 10,000번 이상 반복한 이후에도 성능을 그대로 유지했다.


김대식 특훈교수는 “틈 구조를 이용한 광학소자는 확실한 ‘단락’(on-off)이 존재하는 전기 회로 개념이 적용돼 스위칭 효율이 높다”며 “복잡한 나노 공정이 필요하지 않기 때문에 실제 소자로 즉각 활용하기에도 수월하다”고 설명했다. 일반적으로 안테나 구성 물질을 바꿔 광학신호를 변조하는 경우 물질의 유전율(3~4)과 공기의 유전율(1) 차이가 크지 않아 광학 소자의 효율이 낮았다.

공동연구원인 정지윤 강원대학교 물리학과 교수는 “마이크로파 및 테라헤르츠 파뿐만 아니라 중·근적외선 영역에서도 매우 효율적인 전자기파 단락이 가능하다”고 설명하며 “5G 및 6G 통신에 활용되는 마이크로파와 테라헤르츠파 제어를 위한 차세대 능동 소자로 활용 가능성이 높다”고 전망했다.


0 나노미터 광학소자 제작 기술은 반도체 소자 제작에도 쓰일 수 있다. 금속 대신 쉽게 제거(식각) 가능한 고분자 물질 등으로 초미세 틈 구조를 만들고 이 틈 사이에 반도체 물질을 증착하면 1 나노미터 미만의 폭을 가진 소자 제작이 가능하다. 삼성, 인텔, TSMC 등의 반도체 기업의 소자 집적화 기술이 한계에 이른 상황에서 이를 극복할 차세대 기술로 응용 가능하다.


이번 연구는 광학 소자 분야의 세계적인 저널 ‘어드밴스드 옵티컬 머티리얼즈’ (Advanced Optical Materials)에 지난달 24일자로 공개됐다.




김봉수 기자 bskim@asiae.co.kr
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