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삼성 반도체 초격차 또 반년 벌렸다…"진짜 실력"

최종수정 2019.03.21 12:59 기사입력 2019.03.21 11:23

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1월 文 만났던 이재용 부회장
"이제 진짜 실력 나오는 것"
자신감 내비친 발언 증명한 셈

3세대 10나노급 D램
동일용량 재료로 20% 더 생산
내년엔 차세대 D램 본격 공급
메모리 기술 리더십 강화

삼성 반도체 초격차 또 반년 벌렸다…"진짜 실력"

[아시아경제 안하늘 기자] 삼성전자가 세계 최초로 '10나노급(1z) D램' 개발에 성공했다. 삼성전자는 올 하반기부터 경기 평택 1라인에서 신제품을 양산할 계획이다. 삼성전자는 10나노급 D램 개발ㆍ생산이라는 기술 초격차를 통해 글로벌 반도체 시황 위기를 정면 돌파할 방침이다.


삼성전자는 '3세대 10나노급(1z) 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) D램'을 개발했다고 21일 밝혔다. 2세대 1y나노(10나노 중반) D램을 양산한 지 16개월 만이다.


1나노는 10억분의 1m로, 미세 공정의 한계가 있는 만큼 10나노급 부터는 '신의 영역'으로 불린다. 삼성전자가 글로벌 반도체 업체중 처음으로 10나노급 시대를 연 셈이다. 반도체는 더 작은 사이즈에 더 많은 정보를 담을 수록 생산 효율이 개선된다. 40나노급으로 시작된 미세공정은 30나노급, 20나노 후반(2x), 20나노 중반(2y), 20나노 초반(2z)으로 진화해왔다.


삼성전자가 개발한 3세대 10나노급(1z) D램은 기존 10나노급(1y) D램보다 20% 이상 생산성을 높일 수 있다. 또 속도 증가로 전력효율이 개선된다. 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 생산할 수 있어 안정성과 신뢰성, 단가 등에서 이점이 있다.


삼성전자는 올 하반기 부터 3세대 제품을 본격 양산한다는 계획이다. 마이크론 등 경쟁사들은 내년 상반기에나 제품 양산이 가능, 삼성전자는 또 다시 6개월 이상 격차를 벌리게 됐다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"고 말했다.




안하늘 기자 ahn708@asiae.co.kr

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