SK하이닉스, 2세대 10나노급 D램 개발 성공...내년 1분기 양산

[아시아경제 원다라 기자] SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) D램 개발에 성공했다. 내년 1분기 중 양산한다는 계획이다.

SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이번 2세대 1y 공정은 D램 공정 중 가장 첨단 공정이다. 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며 전력 소비도 15% 이상 감축했다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 구현한다.

SK하이닉스는 데이터 전송 속도 향상을 위한 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술과 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮춰주는 독자적인 ‘센스 앰프 제어 기술’을 적용했다. SK하이닉스 관계자는 "4Phase Clocking를 통해 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘렸다"면서 "고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다"고 설명했다. 이어 "공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다"면서 "SK하이닉스는 이러한 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나간다는 계획이다. 계획이다. 김석 SK하이닉스 DRAM마케팅담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응하겠다"고 말했다.

한편 메모리 반도체 업계의 1y대 경쟁은 가속화될 전망이다. 삼성전자가 지난해 11월 1y 나노 D램을 양산한데 이어 마이크론도 최근 1y나노 공정 기반 모바일용 12Gb LPDDR4X D램을 양산하기 시작했다. D램 공정이 미세화될 수록 웨이퍼 한 장에서 생산되는 칩수가 늘어난다. 삼성전자는 지난해 11월, 마이크론은 이달 양산에 돌입했다. SK하이닉스는 내년 1분기 양산을 시작할예정이다. 2분기 기준 글로벌 D램 시장 점유율은 삼성전자(48%), SK하이닉스(28.9%), 마이크론(21.6%)순이다.

원다라 기자 supermoon@asiae.co.kr