美 마이크론, 'HBM3E' 양산 시작…AI 성장 가속화

8단으로 D램 쌓아 24GB 용량 구현
경쟁 제품 대비 30% 전력 효율 우수

미국 마이크론이 차세대 고대역폭메모리인 'HBM3E' 양산을 시작한다.

미국 최대 메모리반도체 생산업체인 마이크론 테크놀러지 로고. [사진제공=연합뉴스]

마이크론은 26일(현지시간) 인공 지능(AI) 솔루션을 강화하기 위해 업계 초고의 HBM3E 솔루션 대량 생산한다고 밝혔다.

마이크론은 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현했다. D램은 10나노급(1b) 제품을 적용, 첨단 실리콘관통전극(TSV) 기술로 적층했다고 회사는 설명했다. 특히 전력 효율이 경쟁 제품과 비교해 최대 30% 우수하다는 입장이다.

고객사는 AI 반도체 시장 선두 주자인 엔비디아로, 2분기 출시 예정인 엔비디아 H200 텐서 코어 GPU에 적용될 것으로 보인다.

마이크론은 다음 달 18일 시작되는 글로벌 AI 콘퍼런스에서 AI 메모리 포트폴리오와 로드맵에 대해 공유할 계획이다.

슈미트 사다나(Sumit Sadana) 마이크론 수석 부사장은 "마이크론은 HBM3E를 통해 시장 출시 기간 단축, 동급 최고의 업계 성능, 차별화된 전력 효율성을 제공한다"고 말했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr