美国美光启动量产HBM3E，高速推动AI增长

by Kim Pyeonghwa

Published 27 Feb.2024 09:53(KST)

8层堆叠D-RAM实现24GB容量
相比竞品电源效率提升30%

美国美光公司开始量产下一代高带宽内存“HBM3E”。

美国最大存储器半导体生产企业美光科技的标志。联合新闻网供图

美光公司当地时间26日表示，为了强化人工智能（AI）解决方案，将大规模量产业内规格最高的HBM3E解决方案。

美光公司通过8层堆叠动态随机存取存储器（DRAM），实现了24GB容量。公司解释称，该DRAM采用10纳米级（1b）产品，并利用先进的硅通孔（TSV）技术进行堆叠。尤其是在能效方面，其产品被称相比竞品最高可优于30%。

客户为在AI半导体市场处于领先地位的英伟达，预计将应用于计划在第二季度推出的英伟达H200张量核心图形处理器（GPU）。

美光公司计划在下月18日开幕的全球AI大会上，分享其AI存储产品组合与路线图。

美光公司高级执行副总裁Sumit Sadana表示：“美光通过HBM3E，提供缩短产品上市时间、同级别业内最佳性能以及差异化的能效表现。”

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。