삼성전자, 파운드리 사업 '초격차' 잰걸음

엔비디아, IBM 등 연이어 수주
평택 2라인에 30조원 투자

삼성전자 반도체 생산 전초 기지인 경기 평택캠퍼스 전경.

[아시아경제 이동우 기자] 삼성전자가 메모리 반도체 초격차에 이어 파운드리(위탁생산) 분야에서도 글로벌 1위 달성을 위한 행보에 나서고 있다. 지난달 세계 최대 규모로 조성한 반도체 생산공장 평택 2라인(P2)이 가동을 시작하는 한편 글로벌 고객사 확보를 강화하고 있다.

6일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU) '지포스 RTX 30'을 8나노 파운드리를 통해 생산한다. 업계는 그동안 엔비디아가 파운드리 1위 업체인 TSMC에 물량을 맡겨왔던 것을 고려하면 이번 수주가 사업 영역을 확장하는 계기가 될 것으로 평가했다.

앞서 삼성전자는 지난달 IBM의 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)인 '파워10', 2월에는 퀄컴의 차세대 5G 모뎀 칩 'X60' 생산 계약을 체결하기도 했다.

연이은 글로벌 기업의 물량 확보를 통해 올해 삼성전자 파운드리 매출은 15조원 이상이 될 것으로 추정했다. 최근 3년간 파운드리 사업은 11조원 수준에 머물렀다.

평택2 라인에 업계 최초로 EUV(극자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) 저전력(LP) 모바일 메모리반도체(D램) 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인이 될 전망이다. 평택 1라인에 이어 평택 2라인에는 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다.

P2 생산라인에서 양산을 시작한 EUV 기반 16Gb 모바일 D램은 역대 최대 용량 및 최고 속도를 자랑한다. 기존 스마트폰용 모바일 D램보다 속도가 16% 빨라졌다. 16GB 제품 기준으로 풀HD급 영화(5GB) 10편을 1초 만에 처리할 수 있는 성능이다.

업계는 P2 생산라인이 양산을 시작하면서 5nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m) 이하 초미세 공정을 기반한 평택 반도체 생산라인 P3의 착공도 속도가 붙을 것으로 기대하고 있다. P3 양산 시기는 2023년 상반기로 예상된다.

시장조사업체 트렌드포스는 3분기 파운드리 시장 점유율을 TSMC 53.9%, 삼성전자 17.4%로 추정, 삼성전자는 향후 AMD와 인텔 등 펩리스(반도체 설계)기업의 물량을 확보해 격차를 좁혀나간다는 목표다.

이동우 기자 dwlee@asiae.co.kr