우시공장 D램 생산라인 미세공정 20나노 후반→20나노 중반으로 높이는 작업에 투자 집행

[아시아경제 권해영 기자] SK하이닉스가 중국 장쑤성 우시 D램 반도체 공장에 1억달러(약 1030억원)를 투자한다.


11일 SK하이닉스에 따르면 박성욱 SK하이닉스 사장은 지난달말 중국 정부 관계자를 만나 이 같은 투자 계획을 밝혔다.

이번 투자는 SK하이닉스가 2014~2016년 3년간 우시공장에 매년 8억~9억달러씩 총 25억달러를 투자하기로 한 계획의 일환으로 이뤄지는 것이다.

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1억달러의 투자 금액은 우시 공장 D램 생산라인의 미세공정을 현재 20나노 후반대에서 향후 20나노 중반대로 높이는 작업에 집행될 예정이다.

SK하이닉스는 지난해 총 3조5000억원 규모의 설비투자를 집행했으며 올해는 이천 신공장(M14) 건설을 포함해 총 4조원에 달하는 설비투자를 집행할 것으로 예상된다.


권해영 기자 roguehy@asiae.co.kr

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