SK실트론, GaN 웨이퍼 시장 진출 위해 英 IQE와 협력

무선통신·전력 반도체용 GaN 웨이퍼 사업으로 미래 성장 동력 확보

왼쪽부터 아메리코 레모스 IQE 최고경영자(CEO)와 장용호 SK실트론 사장이 전략적 협력 협약(SCA) 후 기념사진을 촬영하고 있다. / 제공=SK실트론

[아시아경제 김평화 기자] SK실트론이 주력인 실리콘 웨이퍼 사업에 이어 이번엔 첨단 반도체 소재인 질화갈륨(GaN) 기반 웨이퍼 사업으로 영역을 확장한다. 이를 통해 미래 성장 동력을 확보한다는 목표다.

SK실트론은 6일 구미 본사에서 글로벌 에피택셜(Epitaxial) 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 밝혔다.

IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 세계 반도체 제조사에 공급하는 글로벌 기업이다. 기술 진입 장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위 사업자다.

SK실트론은 이번 협약을 계기로 무선 통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 주목받는 GaN 웨이퍼 시장에 본격적으로 진출한다. 고객사 요구사항에 따라 IQE와 맞춤형 GaN 웨이퍼를 공동 개발하고 아시아 시장에서 마케팅 협력으로 시장 확대를 꾀할 예정이다.

GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착하는 방법으로 만들어진다. 기존 웨이퍼와 비교해 고전압 환경에도 전력 변환 효율이 높은 특징을 지니고 있다. 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트 기기, 5세대 이동통신(5G) 기반 고속 네트워크 장비 등 다수 분야에서 사용되면서 수요가 늘고 있다.

SK실트론은 제조·기술·품질 경쟁력을 기반으로 글로벌 시장 3위를 차지하고 있는 실리콘 웨이퍼 사업과 함께 첨단 반도체 소재로 사업을 확장해 미래 성장 동력을 강화한다는 목표다.

장용호 SK실트론 사장은 “첨단 소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다”며 “IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr