SK하이닉스, 인텔과 '10나노급 5세대 서버용 DDR5' 호환성 검증

세계 최초로 인텔 데이터센터 검증 시작
인텔 '제온 스케일러블 플랫폼' 적용 예정
"10나노급 5세대 공정 거친 HBM 나온다"

SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 마치고 이 기술을 적용한 서버용 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 인텔에 제공, 세계 최초로 검증 절차에 돌입했다고 30일 밝혔다.

SK하이닉스는 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램'을 통해 검증을 진행한다. 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼(하드웨어, 소프트웨어 기술을 집약한 컴퓨팅 시스템)인 '제온 스케일러블 플랫폼'에 사용되는 메모리 제품 호환성을 공식 인증하는 데 목적이 있다.

디미트리오스 지아카스 인텔 메모리I/O기술부문 부사장은 "SK하이닉스 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것"이라며 "이를 위해 업계 최초로 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증을 거치고 있다"고 말했다.

인텔에 제공된 DDR5 D램 제품은 동작 속도가 6.4기가비피에스(Gbps)다. 시중에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현한다. 초창기 DDR5 D램 시제품 동작 속도(4.8Gbps)보다 데이터 처리 속도가 33% 빠르다. 하이-K 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용, 10나노급 4세대(1a) DDR5 D램보다 전력 소모가 20% 적다.

HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량(Capacitance)을 개선한 공정 기술이다. SK하이닉스는 지난해 11월 HKMG 공정을 적용해 세계 최초로 모바일 D램 신제품(LPDDR5X)을 출시한 바 있다. 지난 1월에는 새 모바일 D램(LPDDR5T)에도 HKMG 공정을 적용했다.

SK하이닉스 10나노급 5세대(1b) DDR5 서버용 64GB D램 모듈. 1b 16Gb 단품을 기반으로 만들어졌다. / [사진제공=SK하이닉스]

SK하이닉스는 이번 기술 개발을 통해 시장에 높은 성능과 우수한 전성비(일정 전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량을 계산한 상대적 지표)를 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 됐다고 밝혔다.

김종환 SK하이닉스 DRAM개발담당(부사장)은 "1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증을 받았다"며 "이번 1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다”고 말했다.

또 “올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선에 힘쓰겠다"며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, 고대역폭 메모리 신제품(HBM3E)으로도 확대 적용할 것"이라고 설명했다.

HBM3E는 SK하이닉스가 선보이는 HBM 5세대 제품이다. SK하이닉스는 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비해 내년 양산할 예정이다.

한편 SK하이닉스는 인텔 호환성 검증을 마친 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 진행 중이다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr