SK海力士与英特尔完成“10纳米级第5代服务器用DDR5”兼容性验证
全球首家启动英特尔数据中心验证
计划采用英特尔“至强可扩展平台”
“采用10纳米级第五代工艺的HBM即将面世”
SK海力士表示，已完成当前现有D-RAM中最为微缩的10纳米级第5代（1b）技术开发，并向英特尔提供应用该技术的服务器用双倍数据速率（DDR）5 D-RAM，已于30日启动全球首次验证程序。
SK海力士将通过“英特尔数据中心内存认证项目”推进验证工作。该项目旨在对用于英特尔服务器平台（集成硬件和软件技术的计算系统）“至强可扩展平台”上的内存产品兼容性进行官方认证。
英特尔内存I/O技术部门副总裁Dimitrios Ziakas表示：“SK海力士的1b DDR5将被应用于英特尔下一代至强可扩展平台”，“为此，正作为业内首家通过英特尔数据中心内存认证项目接受验证”。
向英特尔提供的DDR5 D-RAM产品工作速度为每秒6.4千兆比特（Gbps），实现了目前市面DDR5的最高速度。相比早期DDR5 D-RAM试制品的工作速度（4.8Gbps），数据处理速度快了33%。通过采用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，与10纳米级第4代（1a）DDR5 D-RAM相比，功耗降低了20%。
HKMG是一种在D-RAM晶体管内部绝缘层中采用高介电常数（K）材料，以阻断漏电流并改善电容（Capacitance）的工艺技术。SK海力士在去年11月采用HKMG工艺，全球首次推出了移动D-RAM新品（LPDDR5X）。今年1月又在新款移动D-RAM（LPDDR5T）中应用了HKMG工艺。
SK海力士表示，通过此次技术开发，公司能够向市场供应兼具高性能和优异能效比（以一定功率单位可处理的数据吞吐量为基准计算的相对指标）的D-RAM产品。
SK海力士DRAM开发负责人（副社长）Kim Jonghwan表示：“今年1月，我们将10纳米级第4代（1a）DDR5服务器用D-RAM应用于第4代英特尔至强可扩展处理器，并率先在业内获得认证”，“此次1b DDR5产品的验证也将顺利完成”。
他还表示：“在业界普遍预期今年下半年起内存市场状况将有所改善的背景下，我们将以1b量产等业内最高水准的D-RAM竞争力为基础，努力推动下半年业绩改善”，“明年上半年将把最前沿的1b工艺进一步扩展应用于LPDDR5T和新一代高带宽内存产品（HBM3E）”。
HBM3E是SK海力士推出的第5代高带宽内存（HBM）产品。SK海力士计划在下半年准备具备每秒8Gbps数据传输性能的HBM3E产品样品，并于明年实现量产。
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另一方面，SK海力士正在推进额外的认证程序，以便已完成与英特尔兼容性验证的1a DDR5也能应用于英特尔下一代至强可扩展平台。
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