한국 , '무어의 법칙' 깰 차세대 고집적 반도체 기술 선점

울산과학기술원 신현석 교수 연구팀
세계 최초 육방정계 질화붕소 단결정을 여러층으로 합성 기술 고안

실제 합성된 원자 3층 두께의 육방정계 질화붕소를 실리콘 웨이퍼에 옮긴 사진. 제공=과기정통부

[아시아경제 김봉수 기자] 국내 연구진이 기존 반도체 기술의 한계인 '무어의 법칙'을 깰 수 있는 차세대 고집적 반도체 개발을 위한 핵심 기술을 고안해 냈다. 무어의 법칙은 반도체 집적회로(IC칩)에 집적하는 트랜지스터(미세소자)의 밀도가 2년마다 2배로 증가한다는 법칙으로 인텔의 고든 무어가 1965년에 발견한 관찰 결과다. 즉 반도체 집적을 획기적으로 빠르게 고도화시킬 수 있다는 얘기다.

과학기술정보통신부는 울산과학기술원(UNIST) 신현석 교수 연구팀이 세계 최초로 육방정계 질화붕소(hBN) 단결정을 여러층으로 합성할 수 있는 기술을 개발했다고 1일 밝혔다. 이번 연구 결과는 국제학술지인 네이처(Nature)에 2일자로 게재됐다.

육방정계 질화붕소는 차세대 고집적 반도체에서 발생할 수 있는 전하 트랩, 전하 산란 같은 기능 저하를 막을 수 있는 유일한 2차원 절연체 소재로 알려져 있다. 차세대 고집적 반도체는 실리콘을 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴(MoS2) 등으로 바꿔 전류누설, 발열 등의 문제를 해결하고 칩의 집적도를 높이는 기술이다. 하지만 이 고집적 반도체는 이황화몰리브덴이 웨이퍼에 직접 닿게 되면 전하가 갇히는 전하 트랩 현상이 발생하기 때문에 웨이퍼와 이황화몰리브덴을 물리적으로 분리할 절연체가 꼭 필요하다. 또 전하 산란을 막기 위해서는 절연체 소재 또한 이황화몰리브덴과 동일한 2차원 소재로 써야한다. 2차원 소재는 구성 원자끼리 2차원 평면 형태로 연결되어 있어, 실리콘과 같이 3차원 구조 소재에서 문제가 될 수 있는 전하 산란이 발생하지 않는다.

그동안 2차원 절연체 소재를 반도체 소자에 쓸 수 있을 만큼 적절한 두께를 갖는 단결정 형태로 합성하는 기술 개발이 난제였다. 연구팀은 합성에 필요한 재료의 농도를 조절하는 새로운 합성 방식을 통해 두께 조절이 가능한 육방정계 질화붕소 단결정을 합성할 수 있었다. 상용화가 가능한 큰 크기의 육방정계 질화붕소를 합성한 사례가 그 간 네이처(Nature)나 사이언스(Science)에 발표된 바 있지만, 단결정을 다층 박막 형태로 합성한 것은 이번이 세계 최초이다.

신 교수는 “이번 연구로 무어의 법칙으로 대표되는 기존 고집적 반도체의 물리적 한계를 해결할 수 있는 소재 합성 기술을 개발했다”며 "육방정계 질화붕소를 반도체 뿐만 아니라 수소연료전지 전해질막, 차세대 이차전지 전극소재, 양자 광원 등으로 쓸 수 있다는 사실이 속속 보고되고 있는 만큼, 소재생산 원천기술 확보를 위한 적극적인 추가 연구가 필요하다”라고 설명했다.

김봉수 기자 bskim@asiae.co.kr