삼성 지원한 차세대 반도체 소재 연구 성과, 세계적 학술지 게재

[아시아경제 우수연 기자]삼성 미래기술육성사업이 지원하는 국내 대학 연구팀의 차세대 반도체 소재 연구가 성과를 인정받아 세계적인 학술지에 게재됐다.

25일 삼성에 따르면 손준우·최시영 포스텍 신소재공학과 교수 연구팀이 개발한 발열 문제 해결을 위한 차세대 반도체 소재 기술 개발 성과가 이달 18일 국제 학술지인 '네이처 커뮤니케이션스(Nature Communications)'에 게재됐다.

연구팀은 반도체 미세화에 따라 점차 중요성이 커지고 있는 열 문제 해결을 위한 차세대 소재 기술을 개발했으며 해당 기술은 고집적 반도체용으로 사용 가능한 소재 개발 성과로 인정받았다. 연구팀은 2017년 7월 삼성미래기술육성사업 연구 과제로 선정돼 3년간 지원을 받았으며, 한국연구재단 기초연구실의 지원도 병행됐다.

삼성미래기술육성사업이 연구 지원해 차세대 반도체 소재 개발에 성공한 포스텍 연구팀. (뒷줄 왼쪽부터)손준우 교수, 최시영 교수 (앞줄 왼쪽부터) 이동규 학생, 박윤규 박사, 심혜지 학생/사진제공=삼성전자

연구팀, 대체 소재 기술 개발…반도체 미세화 따른 발열문제 해결

반도체 분야의 기술 혁신은 미세화를 통한 트랜지스터 회로의 집적도를 높이는 방향으로 진행돼왔다. 반도체는 집적도가 커질수록 소비하는 전력은 줄어들고 동작 속도는 빨라지지만 반도체 소자가 동작하면서 발생하는 열에 의한 오작동 등 새로운 문제가 발생할 가능성이 커지고 있다.

문제 해결 방법은 트랜지스터의 구동 전압을 낮추고 기존의 실리콘을 대체하는 신규 소재를 개발하거나 실리콘과 신규 소재를 접합하는 것이다. 학계와 업계는 이 문제 해결에 많은 노력을 기울여 왔다.

대표적인 신규 소재로는 특정한 전압에 다다르면 물질의 상(相·Phase)이 절연체에서 금속으로 빠르게 바뀌는 '상전이(相轉移) 산화물 반도체'가 주목 받고 있다. 연구팀은 상전이 산화물 반도체의 일종인 단결정 산화바나듐(금속 바나듐과 산소가 결합해서 만들어진 화합물)이 기존 실리콘 대비 전류를 흘릴 때 필요한 전압이 낮아 발열이 줄어드는 성질에 주목했고, 단결정 산화바나듐을 실리콘 웨이퍼 위에 적층할 수 있는 기술을 개발했다.

하지만 단결정 산화바나듐은 실리콘과 결정 구조가 달라 웨이퍼에 직접 적층 성장할 경우 전기적인 결함이 발생할 수 있었다. 이에 연구팀은 실리콘 웨이퍼 위에 결정 구조가 같은 산화티타늄을 우선 적층한 후 그 위에서 산화바나듐을 단결정 상태로 성장시키는데 성공했다.

손 교수는 "이번 연구를 통해 차세대 소재로 주목받고 있는 단결정 상전이 산화물의 우수한 특성을 기존 실리콘 반도체 소재에 적용할 수 있게 됐다"며 "초저전력 초고밀도 메모리 등 기존 한계를 극복할 수 있는 차세대 반도체 소자 개발을 위해 노력하겠다"고 말했다.

삼성 미래기술육성사업, 2013년부터 1조5000억원 연구 지원

삼성 미래기술육성사업은 우리나라의 미래를 책임질 과학기술 육성·지원을 목표로 삼성전자 가 2013년부터 1조5000억원을 출연해 시행하고 있는 연구 지원 공익사업이다.

매년 상·하반기에 각각 기초과학, 소재, ICT 분야에서 지원할 과제를 선정하고 1년에 한 번 실시하는 '지정테마 과제 공모'를 통해 국가적으로 필요한 미래 기술분야를 지정해 해당 연구를 지원하고 있다. 특히 연구자들이 도전적인 연구를 할 수 있도록 목표를 달성하지 못하더라도 책임을 묻지 않고 실패 원인을 지식 자산으로 활용하도록 하고 있다.

연구 책임자가 연구 성과와 주요 이슈를 설명하고 참석 연구자들과의 토론을 통해 새로운 아이디어를 얻는 애뉴얼 포럼, 연구 성과의 산업 활용도를 높이기 위한 R&D 교류회, 활용도가 높은 특허 출원을 지원하는 IP멘토링 등 다양한 프로그램도 운영하고 있다.

삼성 미래기술육성사업은 지금까지 682개 과제에 8865억원을 지원했다. 또한 국제학술지에 총 2130건의 논문이 게재되는 등 활발한 성과를 보이고 있다. 이 중 네이처(7건), 사이언스(7건), 셀(1건) 등 최상위 국제 학술지에 소개된 논문도 189건에 달한다.

우수연 기자 yesim@asiae.co.kr