반도체 강국 위상 강화‥SK하이닉스도 3세대 10나노 D램 개발

SK하이닉스도 3세대 10나노 D램 개발

2세대보다 생산성 27% 늘고 전력소비 40%줄어

내년 상반기 회복세 전망…반도체 강국 부활 예고

[아시아경제 박소연 기자] SK하이닉스가 삼성전자에 이어 10나노 D램 반도체를 개발, 시장확장에 나선다. SK하이닉스는 개발한 10나노 D램 반도체를 내년 상반기중 양산한다는 방침을 세우고 있다.

이번 SK하이닉스의 10나노 D램 반도체 개발로 한국의 반도체 개발 시계가 더욱 빨라질 것으로 보인다. 미중 무역분쟁, 일본 수출 규제 등의 대내외 악재로 어려움에 처한 상황에서도 코리아 반도체 군단의 '마이웨이'는 당분간 지속될 것으로 관측된다.

SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해, 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다.

이번에 개발된 D램은 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산이 가능, 원가 경쟁력을 갖췄다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다.

전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다고 SK하이닉스 측은 설명했다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 또한 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

IT 기기 내에서 정보를 빠르게 처리하고 전달하는 D램 칩은 미세한 회로들로 구성돼 있다. 전기 신호를 빠르게 전달하는 도로 역할을 하는 회로는 칩 크기가 줄어들수록 폭이 더 좁아져야 한다.

10나노 공정은 회로의 폭(선폭)을 1억분의 1미터(m)인 10나노미터(㎚) 대로 그려낼 수 있다는 뜻이다. 이 공정 안에서도 1x, 1y, 1z로 나눈다. x에서 z로 갈수록 공정이 세분화한다. 1z는 10나노 영역 내에서도 상당히 발전한 수준인 3세대까지 진입했다는 뜻이다.

D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능ㆍ고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 설명했다.

SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.

이번주 실적 발표를 앞둔 SK하이닉스의 매출액과 영업이익 컨센서스(증권가 전망치)는 각각 약 6조2000억원, 4300억원 정도다. 전망치로 보면 SK하이닉스의 영업이익은 지난해 같은 기간 대비 90% 이상 줄어든 수준이다. 투자업계는 올해 4분기 반도체 업황이 '저점'을 통과한 뒤 내년 상반기에 들어서면 회복세에 접어들 것으로 관측하고 있다.

글로벌 IT전문 시장조사업체인 IHS마킷은 최근 보고서에서 내년 전세계 반도체 시장 매출이 4480억달러(약 536조원)로, 올해(4228억달러)보다 5.9% 늘어날 것으로 추정했다. 지난해 4856억달러로 역대 최고치를 기록한 데 이어 올해 두자릿수의 역성장을 기록하겠지만 1년 만에 다시 상승세로 돌아설 것이란 전망을 내놨다.

박소연 기자 muse@asiae.co.kr