SK하이닉스 차선용 "3D D램 개발 초기 단계…가능성 살필 것"

SK하이닉스 주관 'IEEE EDTM' 개최
차선용 부사장, 미래 메모리 기술 소개

"2D를 스케일링 다운하는 것과 3D로 가는 두 가지 방식을 다 살피고 있다. 3D 기술이 현 기술을 확실히 대체할 수 있을지 살피고 있고, 아직은 초기 단계다."

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 담당(부사장)은 8일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 'IEEE EDTM'에 참석해 이같이 말했다. 현존 2차원(2D) D램 미세화 기술이 한계를 맞으면서 주목받는 3차원(3D) D램 기술의 대체 가능성과 관련해 발언한 내용이다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 담당(부사장)이 IEEE EDTM에서 기조 강연을 진행하고 있다. / [사진=김평화 기자]

차 부사장은 이날 '인공지능(AI) 컴퓨팅 시대 메모리 혁신의 여정’을 주제로 기조 강연을 진행했다. AI 기술이 발전하는 데다 처리해야 하는 데이터양이 폭발적으로 늘면서 메모리 기술 혁신의 필요성도 커졌다는 게 그의 설명이다.

차 부사장은 미래 반도체 산업 변화를 이끄는 핵심 키워드로 ▲연속성(Continuity) ▲융합(Convergence) ▲변화(Changes) 등을 짚었다. 현존 메모리 기술을 계속 발전시키면서 동시에 새로운 기술 융합 시도가 이어진다는 게 그의 설명이다. 환경·사회·지배구조(ESG) 요구에 따른 산업 환경 변화도 주목 요소다.

차 부사장이 소개한 미래 메모리 기술로는 ▲3D D램 ▲프로세서인메모리(PIM) ▲액셀러레이터인메모리(AiM) 등이 있다. 3D D램은 평면(2D)에서 셀을 만드는 기존 방식과 달리 D램을 눕혀서 층을 쌓는 차세대 기술이다. 회로 선폭을 줄여 집적도를 늘리는 현존 방식의 기술 한계가 점차 부각되면서 주목받고 있다.

PIM은 메모리에서 연산 기능도 하는 차세대 제품으로, SK하이닉스가 선보인 PIM의 한 종류가 AiM이다. SK하이닉스는 지난해 2월 그래픽 D램 기반의 GDDR6-AiM 샘플을 개발한 바 있다. 차 부사장은 "AiM은 일반 D램 대비 연산 속도가 16배나 빠르다"고 설명했다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 담당(부사장)이 미래 메모리 기술을 소개하고 있다. / [사진=김평화 기자]

차 부사장은 이같은 기술 발전이 계속되면 향후 ▲SOM ▲STT-M램 ▲ACiM 등의 제품도 개발될 수 있다고 내다봤다. 그는 "ACiM은 컴퓨팅과 메모리 사이의 경계를 없앤 미래 제품이다"며 "향후 만나볼 수 있을 것"이라고 설명했다.

IEEE EDTM은 전기·전자·전산 분야 국제기구이자 학회인 IEEE EDS가 선보인 국제 학술 대회다. 반도체 제조 기술과 장비 혁신 등 업계 전반의 방향성을 논의한다. 2017년 일본을 시작으로 싱가포르, 말레이시아 등에서 열렸다. 올해는 SK하이닉스와 나노기술연구협의회 공동 주관으로 한국에서 일곱 번째로 열렸다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr