SK海力士主办“IEEE EDTM”召开
副社长 Cha Seonyong 介绍未来存储技术
“我们正在同时研究将2D进一步缩小和向3D转移这两条路径。我们在考察3D技术能否确实取代现有技术，目前还处于初期阶段。”
SK海力士未来技术研究院负责人（副社长）Cha Sunyong 8日在首尔三成洞COEX举行的“IEEE EDTM”上出席并作出上述表示。这番发言是围绕在现有二维（2D）DRAM微缩技术遇到瓶颈之际，备受关注的三维（3D）DRAM技术是否具备替代可能性而展开的。
Cha副社长当天以“人工智能（AI）计算时代的存储器创新之旅”为主题进行了主题演讲。他解释称，随着人工智能技术发展以及需要处理的数据量爆炸式增长，对存储器技术创新的需求也随之大幅提升。
Cha副社长将引领未来半导体产业变革的核心关键词概括为▲连续性（Continuity）▲融合（Convergence）▲变化（Changes）等。他表示，一方面要持续发展现有存储器技术，另一方面也要不断尝试与新技术的融合。因环境、社会与公司治理（ESG）要求而带来的产业环境变化同样是需要关注的要素。
Cha副社长介绍的未来存储器技术包括▲3D DRAM ▲存内计算（PIM，Processor in Memory）▲存内加速器（AiM，Accelerator in Memory）等。3D DRAM不同于在平面（2D）上制造存储单元的既有方式，而是将DRAM横置后进行多层堆叠的下一代技术。随着通过缩小线宽来提高集成度的现有技术路线局限日益凸显，这一技术正受到关注。
PIM是能够在存储器内部执行运算功能的下一代产品，SK海力士推出的一种PIM产品就是AiM。SK海力士在去年2月曾开发出基于图形DRAM的GDDR6-AiM样品。Cha副社长解释称：“AiM的运算速度比普通DRAM快16倍。”
Cha副社长预测，如果上述技术持续发展，今后还有可能开发出▲SOM ▲STT-MRAM ▲ACiM等产品。他表示：“ACiM是消除计算单元与存储器之间边界的未来产品，今后有望与大家见面。”
IEEE EDTM是由电气、电子、计算领域国际机构及学会——IEEE电子器件学会（IEEE EDS）推出的国际学术会议，围绕半导体制造技术和设备创新等，讨论整个行业的发展方向。自2017年在日本首次举办以来，先后在新加坡、马来西亚等地举行。今年由SK海力士与纳米技术研究协议会共同主办，第七次在韩国召开。
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