"V낸드 1000단 시대도 삼성전자가 주도할 것"

송재혁 플래시 개발실장 부사장, 기고문 통해 자신감 피력
미세화 기술로 한계 극복…8세대 낸드 개발에 속도

송재혁 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장 부사장[사진제공=삼성전자]

[아시아경제 김흥순 기자] "V낸드도 결국 미세화가 경쟁력이다. 다가올 1000단 시대에서도 삼성전자 가 시장을 주도할 것이다."

송재혁 삼성전자 플래시 개발실장 부사장은 8일 삼성 뉴스룸에 게재한 기고문에서 " 삼성전자 는 업계 최소 셀 사이즈를 구현한 3D 스케일링(미세화) 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것"이라며 자신감을 내비쳤다.

낸드플래시는 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있는 기억장치다. 용량을 늘리기 위해 반도체 셀을 수직으로 쌓아올리는 적층 기술이 공정의 핵심이다. V낸드는 기존 수평으로 배열하던 셀 구조를 수직으로 바꾼 것이다. 송 부사장은 "V낸드가 처음 등장한 초기에는 적층한 단수가 낮아 높이에 대한 고민이 필요 없었다"면서도 "단수가 올라가면서 언젠가는 물리적 한계를 마주할 수밖에 없다"고 내다봤다.

결국 같은 단수에서도 더 낮게 쌓을 수록 유리하다는 것이 송 부사장의 설명이다. 삼성전자 는 올해 하반기 176단 7세대 V낸드를 양산할 계획이다. 이 제품은 3D 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켜 체적(제품이 특정 공간에서 차지하는 크기)을 최대 35%까지 줄인 것이 핵심이다. 이는 경쟁사들의 100단 초반대 6세대 제품과 높이가 비슷하다.

송 부사장은 " 삼성전자 는 한 번에 100단 이상을 쌓아 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글 스택 에칭' 기술을 보유한 유일한 업체"라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈 수 있는 기술 리더십을 확보했다"고 소개했다. 셀의 체적을 줄이면 셀간 간섭 현상이 심화될 수 있는데, 싱글 스택 에칭 기술을 통해 이를 제어할 수 있게 된 것이다. 송 부사장은 이러한 경쟁력을 기반으로 1000단 V낸드 시대가 도래해도 삼성전자가 시장을 주도할 것이라고 확신했다.

앞서 삼성전자 는 2002년 플래시메모리 분야에서 세계 1위에 오른 뒤 최고 수준의 성능과 품질을 갖춘 제품으로 19년간 선두를 지켜왔다. 올해까지 20년 연속 1위를 수성할 가능성이 크다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 글로벌 낸드 시장에서 삼성전자는 점유율 33.5%로 선두를 달렸다. 2위 키옥시아(18.7%)보다 점유율에서 두 배 가까이 앞선다.

오랜 기간 세계 시장을 석권한 원동력은 삼성전자 가 선보인 발빠른 기술력이다. 1984년 관련 시장에 뛰어든 뒤 플래시메모리 대중화를 위해 '시장이 없으면, 시장을 만들자'는 공격적인 마케팅으로 신시장을 개척해 성과를 냈다. 2002년 출시한 USB를 통해 휴대용 플래시메모리의 대중화를 선도한 사례가 대표적이다. 이후 음악 플레이어 시장에 주목해 플래시메모리 기반의 MP3로 시장 지배력을 강화했다. 하드디스크를 대체할 수 있는 저장장치 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에도 관심을 기울여 2006년 세계 최초로 낸드플래시 기반의 SSD를 상용화했다. 지난해 기준 SSD 시장에서 삼성전자 점유율은 33.3%로 세계 1위다.

삼성전자 는 내년 하반기 양산을 목표로 200단이 넘는 8세대 V낸드 개발에도 속도를 내고 있다. 송 부사장은 "8세대 V낸드 동작 칩을 이미 확보했다"면서 "향후 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"고 말했다.

김흥순 기자 sport@asiae.co.kr