차세대메모리 특허출원, PRAM이 가장 활발

지난해 204건…하이닉스, 삼성전자 등 국내 기업들이 주도

[아시아경제 왕성상 기자] 기존의 플래시메모리, DRAM(동적 램) 단점을 극복할 수 있는 차세대메모리 개발경쟁이 뜨거운 가운데 PRAM(상변화 메모리) 특허출원이 가장 활발한 것으로 나타났다.

PRAM은 상변화물질을 전기적으로 가열, 물질이 저항이 약한 결정상태로 되느냐 저항이 강한 비정질상태로 되느냐에 따라 정보를 담아 읽는 메모리소자다.

11일 특허청에 따르면 지난해 국내 출원된 PRAM관련특허는 204건으로 2007년(223건)보다 줄었으나 다른 종류의 차세대메모리인 FeRAM, MRAM, ReRAM의 특허출원이 각각 20건, 53건, 66건에 머문 데 비해 많다.

이는 PRAM이 전력을 끊어도 정보를 기억하는 플래시메모리 장점과 고속으로 동작할 수 있는 디램장점을 갖추고 있다. 또 기존 생산설비를 이용한 양산 및 고집적화가 쉬워 기업들도 PRAM이 가장 경쟁력 있는 차세대메모리라 보는 것으로 분석된다.

출원인별론 하이닉스 148건(72.5%), 삼성전자 37건(18.1%)과 한국전자통신연구원 등 국내 연구소 9건(4.4%), 마이크론테크놀로지 등 외국기업 10건(4.9%) 등 대부분 국내 기업들이 차지하고 있다.

국내 PRAM연구를 앞서 이끄는 삼성전자와 하이닉스는 각각 뉴모닉스와 PRAM 원천기술 보유기업인 오보닉스와 기술협력으로 기반기술 확보에 앞장 서왔다.

지난달 삼성전자가 PRAM양산을 시작함에 따라 PRAM 상용화도 곧 본격화될 전망이다.

게다가 MP3, 휴대폰, 디지털카메라 등 IT(정보통신)제품에 쓰이는 플래시메모리를 훨씬 작고 빠른 PRAM이 대신해 IT제품들 성능도 더 좋아질 수 있다.

특허청 관계자는 “플래시메모시가 세계적으로 한해 200억 달러 이상의 큰 시장을 이루고 있어 시장을 먼저 잡기 위한 PRAM개발경쟁이 가속화되고 특허출원도 늘 것으로 본다”고 말했다.

왕성상 기자 wss4044@asiae.co.kr