삼성전자, 연내 6세대 10나노급 D램 양산 예고

멤콘 발표 통해 D램 양산 로드맵 공유

삼성전자가 연내 6세대 10㎚(1㎚=10억분의 1m)급 D램 양산에 나선다.

4일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 해당 로드맵이 담긴 발표를 했다. 6세대 10㎚급 D램 양산 계획을 구체적으로 밝힌 곳은 삼성전자가 처음이다.

삼성전자가 지난해 5월 양산 소식을 알린 5세대 10나노급(12나노급) 16기가비트(Gb) D램 / [사진제공=삼성전자]

삼성전자가 연내 해당 제품을 양산한다면 1년여 만에 차세대 제품을 선보이게 된다. 삼성전자는 지난해 5월 10㎚급 5세대 D램을 양산한다고 발표한 바 있다. 2021년 10㎚급 4세대 D램 양산 소식을 전한 뒤 2년여 만에 후속 세대 제품을 선보였다.

삼성전자는 6세대 10㎚급 D램 양산 과정에서 극자외선(EUV) 공정을 통해 회로 선폭을 줄일 예정이다. 앞서 회사는 2020년 1세대 10㎚급 D램에 EUV 공정을 최초로 적용한 바 있다.

삼성전자는 이번 행사에서 후속 제품과 관련해 추가적인 로드맵 일정도 공유했다. 10㎚급 7세대 제품은 2026년 양산하고 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통해 D램을 선보이겠다는 계획을 밝혔다.

한편 삼성전자는 올해 멤콘에서 컴퓨트익스프레스링크(CXL)와 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 반도체 솔루션을 여럿 소개했다. 용량 측면에서는 CXL, 대역폭 측면에서는 HBM 기술이 미래 AI 시대를 주도할 것이라고 설명했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr