SK하이닉스, 속도 4배 빠른 '와이드 IO2 모바일 D램' 업계 최초 개발

정보입출구(I/O) 수 대폭 확대…초당 처리 용량, 기존 LPDDR4보다 4배 빨라

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[아시아경제 권해영 기자] SK하이닉스(대표 박성욱)는 기존 제품보다 데이터 처리 속도가 4배 빠른 고성능 와이드 IO2 모바일 D램(와이드 IO2) 개발에 업계 최초로 성공했다고 3일 밝혔다.

이번에 개발한 와이드 IO2는 반도체표준화기구(JEDEC)에서 표준화를 진행중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류다. 20나노급 공정을 적용한 8기가비트(Gb) 용량의 제품이다.

특히 LPDDR4와 같은 1.1볼트(V) 동작전압에서 저전력 특성을 강화하고 정보입출구(I/O) 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 게 특징이다.

기존 LPDDR4는 3200메가비피에스(Mbps) 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능하다. 반면 이번에 개발한 와이드 IO2는 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구를 통해 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다. 초당 처리 용량이 기존 LPDDR4 보다 4배 빠른 것으로 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능을 갖췄다.

한편 DDR 제품을 기반으로 진화해 온 D램은 최근 고성능을 요구하는 고객사의 수요에 맞춰 초고속메모리(HBM) 및 와이드 IO2 등과 같은 새로운 형태로 계속 발전하고 있다.

SK하이닉스는 현재 주요 시스템온칩(SoC) 업체에 IO2 샘플을 공급했으며 내년 하반기부터 양산에 들어가 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 계획이다. 고객사에서는 와이드 IO2와 함께 SoC를 탑재해 한 시스템을 이루는 시스템인패키지(SiP) 형태로 시장에 최종 공급할 예정이다.

김진국 SK하이닉스 모바일개발본부장(상무)은 "와이드 IO2 제품을 통해 고성능 모바일 D램에 대한 고객사의 높은 수요를 만족시킬 것"이라며 "향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다"고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 지난해 12월과 올해 4월 업계 최초로 실리콘관통전극(TSV) 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 고객사와 상품화 작업을 진행중이다. 이번에 TSV 기술 적용이 가능한 와이드 IO2 제품 개발도 완료한 만큼 향후 TSV 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다는 전략이다.

권해영 기자 roguehy@asiae.co.kr