이규제 SK하이닉스 부사장 "HBM 리더십 지키려면 다양한 차세대 패키징 필요"
자사 뉴스룸과 인터뷰
어드밴스드 MR-MUF·하이브리드 본딩 주목
"발열은 해결해야 할 과제…고객 요구 충족"
이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 5일 사내 뉴스룸과의 인터뷰에서 자사가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서의 리더십을 유지하기 위해선 지속적으로 늘어나는 시장 요구에 대응해야 하고 이를 위해 다양한 차세대 패키징 기술을 개발하는 것이 중요하다고 강조했다.
이 부사장은 인터뷰에서 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받고 있다"고 강조하며 "위 아래 칩간 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만, 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 솔루션으로 기대를 모으고 있다"고 말했다. 이어 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 '어드밴스드 MR-MUF'를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 차세대에 활용할 패키징 기술로 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식을 모두 검토하고 있다. 어드밴스드 MR-MUF는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술을 적용, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다. MR-MUF는 많은 양의 칩을 접합시켜 몰딩하는 기술이고 어드밴스드 MR-MUF는 이런 통상적인 방식을 보다 향상시킨 것이다. 하이브리드 본딩은 칩을 쌓을 때, 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이를 통해 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해진다. 최근 HBM 제품에 접합하는 칩이 16단 이상에 이르면서 이 기술의 필요성이 널리 검토되고 있다.
특히 이 부사장은 SK하이닉스가 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공한 배경으로 어드밴스드 MR-MUF 기술을 손에 꼽았다. 그는 이 기술이 "하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있으며 이후 활용 범위가 더 넓어지면서 SK하이닉스의 HBM1등 기술력을 더 공고히 하는 데 힘이 되어줄 것"이라고 내다봤다. 또한 "MR-MUF가 고단 적층은 구현하기 어렵다는 소문이 업계에 돌았던 적이 있다"며 "이 때문에 우리는 MR-MUF가 고단 적층에도 최적의 기술이라는 사실을 고객과 소통하는 데 힘을 쏟았고 그 결과 이는 고객의 신뢰를 재확인하는 계기가 되기도 했다"고 돌아봤다.
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이 부사장은 "SK하이닉스가 HBM 시장을 선점할 수 있었던 가장 큰 원동력은 품질과 양산 경쟁력을 갖춘 제품을 고객이 원하는 시기에 제공했기 때문"이었다고 강조하며 "패키징 개발 조직에서도 고객과 이해관계자의 니즈(Needs)를 빠르게 파악해 제품 특성에 반영하고 있다. 이러한 노력에 회사 고유의 협업 문화를 더한다면, 어떤 상황에서도 강력한 힘을 발휘할 수 있을 것이라고 본다"고 말했다.
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