기술 유출한 전직 삼성전자·하이닉스 반도체 임원 구속

부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반

삼성전자와 하이닉스 반도체 등에서 임원을 지낸 이들이 반도체 기술을 유출한 혐의로 구속됐다.

6일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 전직 삼성전자 및 하이닉스 반도체 임원 최모씨(66)와 전직 삼성전자 수석연구원 오모씨(60)를 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의로 전날 구속했다고 밝혔다.

이들은 20㎚(1㎚=10억분의 1m)급 반도체 생산 공정에 관한 삼성전자 기술을 중국으로 유출한 혐의를 받는다.

앞서 최씨는 삼성전자 반도체 공장 설계도를 빼내 20㎚급 D램 반도체 삼성전자 복제공장을 세운 혐의로 지난해 6월 구속됐다 석방된 바 있다.

경찰은 이들이 기술을 통째로 넘긴 수준으로 보고 수사하고 있다.

이서희 기자 dawn@asiae.co.kr