泄露技术的前三星电子与海力士半导体前高管被捕收押
违反《不正当竞争防止及营业秘密保护法》
曾在三星电子和海力士半导体等企业担任高管的人员，因涉嫌泄露半导体技术被予以拘留。
6日，首尔警察厅产业技术安保搜查队表示，已于前一日以违反《不正当竞争防止及营业秘密保护相关法律》嫌疑，拘留前三星电子及海力士半导体高管 Choi 某（66岁）和前三星电子首席研究员 Oh 某（60岁）。
二人被指控将有关20纳米（1纳米=10亿分之1米）级半导体生产工艺的三星电子技术泄露至中国。
此前，Choi 曾因窃取三星电子半导体工厂设计图纸，涉嫌建立一座复制三星电子20纳米级DRAM半导体工厂，于2024年6月被拘留后获释。
警方认为，他们泄露技术的程度相当于“整套打包转移”，正据此展开调查。
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