SK하이닉스, 올해 시설투자 2.6조 증액…"청주·우시 공장 조기 가동"(종합)

당초 7조원에서 9조6000억원으로 변경
"반도체 초호황 대비·미래 성장 기반 확보 차원"
경기 이천 M14 D램·낸드 생산량 확대

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[아시아경제 강희종 기자]SK하이닉스가 반도체 초호황에 대응하기 위해 올해 시설투자 규모를 확대하기로 했다.

SK하이닉스는 26일 "시장 환경 변화에 적극적으로 대응하고 사업경쟁력 강화와 미래성장 기반 확보를 위해 해외법인을 포함한 2017년 시설투자 계획을 당초 약 7조원에서 약 9조6000억원으로 변경한다"고 공시했다.

SK하이닉스는 ▲미래 성장 동력 확보를 위한 신규 클린룸 건설, ▲기반 인프라 및 연구개발 , ▲D램 수요의 안정적인 대응 및 3D 낸드의 캐파(생산능력) 확대 등에 투자할 계획이라고 덧붙였다.

이와 관련 SK하이닉스는 전날 2분기 경영실적 컨퍼런스콜에서 "중국의 우시와 청주 공장 완공 시기를 2019년 상반기로 발표한 바 있는데 2018년 4분기 정도로 앞당기는 것을 검토하고 있다"고 밝힌 바 있다.

SK하이닉스는 D램을 생산하고 있는 중국 우시 공장에 확장 팹(공장)을 구축할 계획이다. SK하이닉스는 조만간 청주에 낸드플래시 신축 생산라인(M15)을 착공할 계획이다.

SK하이닉스는 또한 이천 M14 1층(D램)과 2층(낸드)의 생산 설비를 확대해 생산량을 확대할 계획이다.

이와 관련, SK하이닉스는 전날 컨퍼런스콜에서 "올해 연말까지 D램과 낸드플레시의 케파 증가를 예상하고 있다"면서 "특히 D램은 캐파 증가를 통해 시장 수요를 충족할 수 있다"고 밝힌 바 있다.



강희종 기자 mindle@asiae.co.kr