[아시아경제 원다라 기자] SK하이닉스는 올해 말까지 6조원 이상을 연구개발(R&D)분야 등에 투자한다. SK하이닉스는 지난 2012년 SK그룹 편입된 후 매년 3조원 이상의 투자를 지속해오고 있다. 올해 주요 투자 분야는 고부가가치 메모리 제품인 모바일ㆍ서버용D램, 낸드플래시다.
SK하이닉스는 지난 2013년 모바일D램 규격인 LPDDR4제품을 업계 최초로 개발한데 이어 지난해 2월에는 8Gb LPDDR4 상용화에 성공했다. LPDDR4는 기존 시장 주력 제품인 LPDDR3보다 속도는 2배 가량 빠르면서 소비 전력은 낮아 향후 LPDDR3를 대체할 것으로 전망되고 있다.
낸드플래시 솔루션 기술력 향상을 위해선 미국 LAMD, 이탈리아 아이디어플래시, 대만 이노스터의 컨트롤러 사업부, 벨라루스 소프텍 등 해외 업체를 차례로 인수했다. 국내에선 분당 플래시 솔루션 디자인 센터, KAIST 스토리지 미디어 솔루션스 센터 등을 통해 연구ㆍ개발을 지속하고 있다. SK하이닉스는 향상된 낸드 솔루션 기술력으로 모바일 및 서버 기기 등에 쓰이는 eMCP, eMMC, UFS, SSD 등의 다양한 응용복합제품을 개발ㆍ양산하고 있다.
SK하이닉스는 향후 수요가 급증할 것으로 예상되는 모바일ㆍ서버용D램에 대해선 20나노 초반급 제품 생산비중 확대를 통해 수익성을 강화하고 10나노급 개발에 차질 없도록 R&D 역량을 강화한다는 계획이다. 특히 서버 부문에서의 고용량 제품 라인업을 확대해 시장에 적극 대응한다는 방침이다.
원다라 기자 supermoon@asiae.co.kr
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