KEC, 3세대 고효율 반도체 IGBT 국산화 성공

[아시아경제 김소연 기자]반도체 소자 전문기업 KEC 는 3세대 산업용 아이지비티(IGBT) 600볼트 제품개발을 완료하고 내년 1월 양산에 들어갈 것이라고 29일 밝혔다.

IGBT(Insulated Gate Bipolar mode Transistor)는 모스펫(MOSFET, 금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터)과 트랜지스터의 장점을 결합시켜 고전압에 견디면서도 고속처리가 가능한 차세대 전력소자다.

주로 전력변환장치에 사용되는 전력용 반도체 스위칭 소자로, 이번에 개발한 필드 스톱(Field Stop) IGBT는 산업용 인버터, 전기자동차, 신재생에너지 산업 분야에 응용된다.

회사 관계자는 “오는 2014년에 전세계 IGBT 시장규모가 13억 달러에 이를 것”이라며 “이 중 600볼트와 1200볼트의 제품군이 전체 시장의 약 68%를 차지할 것”이라고 말했다.

KEC는 이번에 개발 완료한 600볼트 트렌치 필드 스톱 IGBT를 연간 7000만 달러로 추산되는 산업용 인버터, UPS(uninterruptible power supply ; 무정전전원공급장치), 용접기(welder) 시장에 적극 마케팅할 계획이다.

이인희 대표는 “파워 일렉트로닉스(power electronics) 분야에 진출해 세계 초우량 반도체 전문회사를 목표로 시장을 확대해 나가겠다”고 포부를 밝혔다.

김소연 기자 nicksy@