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[특징주]RF머트리얼즈, 삼성도 눈독 들이는 차세대 'GaN기술' 국산화 성공에 강세

최종수정 2022.09.29 10:55 기사입력 2022.09.29 10:55

[아시아경제 장효원 기자] 국내 연구진이 핵심 반도체 부품 '질화갈륨(GaN) 전력소자'를 국산화 성공했다는 소식에 RF머트리얼즈가 강세다.


29일 오전 10시54분 현재 RF머트리얼즈는 전 거래일 대비 9.77% 오른 1만900원에 거래 중이다.

지난 28일 언론보도에 따르면 한국전자통신연구원은 일본의 수출 규제 품목 중 하나로 핵심 반도체 부품인 질화갈륨 전력소자'를 국산화하는데 성공했다.


이 질화갈륨 전력소자는 출력 전력 300W, 전력 밀도 10W/mm 이상의 성능으로, 기존 성능인 8.4W/mm 전력 밀도보다 우수하다.


GaN 등 화합물 반도체는 밴드갭(에너지와 에너지 사이의 빈공간)이 넓은 특성과 고온 안정성을 갖고 있다. 단일원소 반도체인 Si 반도체에 비해 전력을 75% 덜 소비한다. 또 실리콘 반도체에서 분화한 SiC 반도체보다 GaN의 성능이 더 높다.

RF머트리얼즈는 지난 5월 산업통상자원부가 진행하는 '산업용 고출력 레이저 다이오드 칩과 모듈 제조기술 국산화 과제'에 선정됐다. 이 과제는 RF머트리얼즈가 총괄사업자를 담당하고 옵토웰, 한국전자통신연구원과 한국광기술원이 질화갈륨 및 갈륨비소(GaAs) 에피 소재와 이를 이용한 레이저 다이오드 칩 개발에 참여한다.


시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 시장은 지난 2020년 4600만달러(약 515억원)에서 매년 70%씩 성장해 2026년 11억달러(약 1조2315억원)의 규모를 형성할 것으로 전망된다. 테슬라 전기차 모델 3에 SiC 반도체를 공급하는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스(ST마이크로)는 적극적으로 GaN에 투자하고 있는 것으로 알려졌다.


장효원 기자 specialjhw@asiae.co.kr
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