삼성전자 한진만 부사장 "개방형 혁신으로 메모리 개발 앞장설 것"

15일 세계반도체연합(GSA)이 온라인으로 개최한 '2021 GSA 메모리+콘퍼런스' 폐막 기조연설 중인 한진만 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅 실장(부사장). (사진=삼성전자 뉴스룸)

[아시아경제 정현진 기자] 삼성전자 한진만 메모리사업부 전략마케팅 실장(부사장)이 코로나19 등으로 인한 데이터 폭증에 대응하기 위해 미래 메모리 기술이 이전에 경험하지 못한 수준의 성능과 연결성을 지원해야 한다면서 삼성전자가 개방형 혁신으로 새로운 차원의 메모리 개발에 앞장서겠다고 말했다.

한 부사장은 15일 세계반도체연합(GSA)이 온라인으로 개최한 '2021 GSA 메모리+콘퍼런스' 폐막 기조연설에서 인공지능(AI)과 빅데이터 활용으로 데이터 사용이 증가하고 있는 것에 대해 메모리 반도체가 직면한 도전과 새로운 역할을 두고 이같이 말했다.

한 부사장은 "팬데믹의 영향 중 하나로 데이터 사용량의 막대한 증가를 목격하고 있으며 데이터 사용량은 앞으로도 증가할 것이다. 그 뿐 아니라 강력한 메모리 혁신과 다양한 종류의 메모리 시스템에 대한 수요 증가를 목격하고 있다"면서 AI, 자율주행, 5G 등을 '기술 확장을 뒷받침해줄 수 있는 시스템'이라고 소개했다.

한 부사장은 이어 "지금까지 메모리 업계는 더욱 많은 용량, 빠른 스피드와 높은 대역폭에 대한 수요를 충족시키는 데 집중해왔다"면서 "하지만 증가하는 수요에 대응하기 위해서는 하나하나의 혁신만 바라보는 것에서 벗어나 그 너머에 있는 큰 그림을 봐야한다"고 강조했다. 그는 "큰 그림 속에서 성능을 높이고 동시에 전력 소모를 줄이는 역설을 해결하기 위해 데이터 이동을 줄이는 혁신적인 방법을 고민해왔다"고 말했다.

이 자리에서 한 부사장은 삼성전자 가 그동안 해왔던 메모리 반도체 관련 혁신을 소개했다. 삼성전자 가 메모리 업계 최초로 EUV와 HKMG 공정 기술을 적용한 D램으로 미세공정 혁신을 주도하고 있으며 HCB와 같은 혁신 기술을 통해 열 성능을 최적화하고, V-낸드 기술에서도 같은 단수를 더 낮게 구현해 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다는 것이다.

특히 최근에는 △세계 최초로 메모리와 시스템반도체를 융합한 HBM-PIM △D램 모듈에 연산기능을 탑재한 AXDIMM △SSD에 연산기능을 탑재한 스마트 SSD △D램 용량 한계를 극복할 수 있는 CXL D램 등 새로운 메모리 솔루션을 지속해서 선보이고 있다고 설명했다.

한 부사장은 " 삼성전자 는 새로운 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 메모리 솔루션 개발을 주도하고 있다"면서 "빠르고 복잡하게 변화하는 IT업계에 적합한 메모리 반도체 기술을 지속 개발하기 위해 글로벌 기업들과 협력을 통해 개방형 혁신에 앞장설 것"이라고 밝혔다.

이날 컨퍼런스를 개최한 GSA는 반도체 생태계 협력과 발전을 논의하기 위해 설립된 협회로 반도체 제조업체, 소프트웨어, 플랫폼 등 글로벌 IT 기업들이 참여하고 있다. 이번 컨퍼런스에서 참가자들은 '디지털 미래를 설계하다'를 주제로 데이터 시대에 필요한 차세대 메모리와 시스템 설계 방식의 발전에 대해 논의했다.

한편, 이석희 SK하이닉스 사장은 이날 컨퍼런스 기조연설을 통해 코로나19로 인해 데이터 처리 수요가 폭증하며 메모리 반도체의 역할이 확대하고 있다며 "메모리 반도체 활용 범위 확대와 함께 기존 전통적인 스케일링(Scaling·미세 공정) 가치 외에 소셜과 스마트로까지 가치가 확장하고 있다"고 말했다. 이 사장은 "반도체 생태계 전체의 협력이 필요하다"며 "협력 기반의 동반자적 관계로 전환해 고객과 시장에 새로운 가치와 기회를 제공해야 한다"고 강조했다.

정현진 기자 jhj48@asiae.co.kr