이 제품은 셀을 32단으로 쌓아올리는 2세대 V낸드 공정을 유지하면서 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 셀 저장 용량을 1.5배로 확대했다. 이에 따라 기존의 10나노급 평면구조 낸드플래시보다는 생산성이 2배 이상 향상됐다.
삼성전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓음으로써 낸드플래시 미세공정의 한계를 극복한 V낸드를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다. 또한 지난해 8월 1세대(24단), 올해 5월 2세대(32단) V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춤으로써 차세대 V낸드 기술 진화를 이끌며 독보적인 경쟁력을 확보했다.
한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 “향후 3비트 V낸드 기반 고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 출시를 통해 관련 사업에서 고성장세를 더욱 가속화할 것”이라고 말했다.
배경환 기자 khbae@asiae.co.kr
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