SK하이닉스, 오는 8월 용인 1기 팹 2단계 착공…캐파 확대 박차

SK하이닉스가 글로벌 메모리 반도체 공급 부족 상황에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 구축 속도를 한층 끌어올린다.

15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 8월 용인 반도체 클러스터 1기 팹(FAB)의 2단계 건물 착공에 돌입한다. 이와 함께 최근 2기 팹 구축 계획까지 확정하며 생산능력 확대를 본격화한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도. SK하이닉스 뉴스룸

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 부지에 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반산업단지에 최첨단 팹 4개를 순차적으로 건설할 방침이다.

이 가운데 첫 번째 생산라인인 1기 팹은 2개의 골조와 총 6개의 클린룸으로 구성된다. SK하이닉스는 전체의 절반 규모인 골조 1단계에 대해 지난해 2월 기초공사를 시작해 현재 공사를 진행 중이다. 올해 4월 골조 2단계 기초공사에 착수한 데 이어 오는 8월 본 건물 착공에 들어가며 급증하는 고객사 수요에 대비하기 위한 미래 생산능력(캐파) 확장을 가속할 계획이다.

SK하이닉스는 이번 1기 팹 건설에만 약 31조원을 쏟아붓는다. 특히 글로벌 시장 수요를 조기에 선점하기 위해 당초 2027년 5월로 예정됐던 첫 클린룸 가동 시점을 같은 해 2월로 3개월가량 앞당기며 생산라인 조기 확보에 총력을 기울이고 있다.

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 팹 1기 조감도. SK하이닉스 뉴스룸

이처럼 메모리 반도체 기업들이 설비 투자 시계를 앞당기는 것은 전 세계적인 인공지능(AI) 인프라 구축 열풍으로 반도체 수급난이 장기화하고 있기 때문이다. 주요 제조사들은 밀려드는 주문에 대응하기 위해 공장 증설 일정을 경쟁적으로 단축하는 추세다.

삼성전자 역시 평택 캠퍼스에 건설 중인 P5의 팹2 착공 시점을 당초 내년 초에서 올해 하반기로 앞당긴 것으로 전해졌다. P5 팹2는 현재 공사가 진행 중인 팹1과 동일한 구조로 지어질 예정이다.

김진영 기자 camp@asiae.co.kr