SK하이닉스, 세계 최고층 '321단' 낸드 샘플 공개

238단 대비 생산성 59% 향상
2025년 상반기부터 양산 계획

SK하이닉스가 메모리 반도체 업계 처음으로 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. 321단 4차원(4D) 낸드 샘플을 공개하며 2025년 양산을 예고했다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. FMS는 매년 산타클라라에서 열리는 낸드 업계 최대 규모 콘퍼런스다. SK하이닉스는 작년 이곳에서 238단 512기가비트(Gb) TLC 4D 낸드 개발 소식을 알린 바 있다.

SK하이닉스 관계자는 "5월부터 양산 중인 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"며 "SK하이닉스가 적층 한계를 다시 한번 돌파하며 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것"이라고 말했다.

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대(238단 512Gb) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓을 수 있다 보니 한 개 칩에서 더 큰 용량을 구현할 수 있게 됐다. SK하이닉스는 321단 낸드 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산한다는 계획이다.

SK하이닉스 321단 4D 낸드 이미지 / [이미지제공=SK하이닉스]

회사는 또 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품으로 PCIe(고속 데이터 입·출력 지원하는 직렬 구조의 인터페이스 규격) 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)와 유니버설플래시메모리(UFS) 4.0을 소개했다. 최근 생성형 인공지능(AI) 시장이 커지면서 늘어나는 고성능·고용량 메모리 수요에 최적화한 제품들이다.

SK하이닉스는 해당 제품이 업계 최고 수준의 성능을 자랑하는 만큼 고성능을 원하는 고객 요구를 충족할 수 있다고 설명했다. 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0도 개발 중이며 이를 기반으로 향후 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 목표도 내놨다.

최정달 SK하이닉스 부사장(NAND개발담당)은 행사 기조연설에서 "4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획"이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 말했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr