SK海力士发布全球最高层“321层”NAND样品
相比238层生产率提升59%
计划自2025年上半年起量产
SK海力士成为存储半导体行业中首家正式宣布开发300层以上NAND闪存的企业。公司公开了321层四维（4D）NAND样品，并预告将于2025年实现量产。
SK海力士于8日（当地时间）在美国圣克拉拉举行的“闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）2023”上，发布了321层1太比特（Tb）三层单元（TLC）4D NAND的开发进展，并展出了开发阶段的样品。FMS是每年在圣克拉拉举办的、NAND行业规模最大的会议。SK海力士曾在去年同一场合公布238层512吉比特（Gb）TLC 4D NAND的开发消息。
SK海力士相关负责人表示：“我们正以5月开始量产的最高层数238层NAND所积累的技术实力为基础，顺利推进321层NAND的开发”，“SK海力士将再次突破堆叠极限，开启300层级NAND时代并引领市场”。
321层1Tb TLC NAND相比上一代（238层512Gb），生产效率提升了59%。由于能够将存储数据的单元以更高层数堆叠，因此单颗芯片即可实现更大容量。SK海力士计划进一步提升321层NAND的成熟度，并从2025年上半年开始量产。
公司还在本次活动上，作为下一代NAND解决方案产品，介绍了采用PCIe（支持高速数据输入输出的串行接口标准）第5代（Gen5）接口的企业级固态硬盘（eSSD）以及通用闪存（UFS）4.0。随着近期生成式人工智能（AI）市场的扩大，对高性能、大容量存储器的需求不断增加，这些产品正是为此进行了最优化。
SK海力士表示，由于该产品具备业界顶级水平的性能，足以满足追求高性能的客户需求。 公司还在开发下一代PCIe第6代和UFS 5.0，并以此为基础，提出了今后将引领行业技术趋势的目标。
SK海力士负责NAND开发的副社长 Choi Jeongdal 在大会主题演讲中表示：“我们将通过开发第5代4D NAND——321层产品，进一步巩固在NAND领域的技术领导地位”，并称“将主动把AI时代所需的高性能、大容量NAND推向市场，持续引领创新”。
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