D램 소비 전력 및 소자 신뢰성 개선 특허 포상

왼쪽부터 김종환 D램개발담당 부사장과 신범주 D램개발 TL, 김윤옥 지속경영담당 부사장이 시상식 후 기념사진을 촬영하고 있다. / 출처=SK하이닉스 뉴스룸

왼쪽부터 김종환 D램개발담당 부사장과 신범주 D램개발 TL, 김윤옥 지속경영담당 부사장이 시상식 후 기념사진을 촬영하고 있다. / 출처=SK하이닉스 뉴스룸

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[아시아경제 김평화 기자] SK하이닉스는 회사 성장과 기술 혁신에 기여한 사내 특허 발명자에게 포상하는 '혁신특허포상' 시상식을 7일 진행했다. 올해로 5회째를 맞은 혁신특허포상 시상식은 김윤욱 SK하이닉스 지속경영담당 부사장과 민경현 SK하이닉스 특허담당 부사장 등 담당 임직원이 수상자가 있는 소속 조직 현장에 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.


올해 최고상인 금상은 총 2건이다. D램 내부 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 신범주 SK하이닉스 TL과 D램 내부 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 황선환 SK하이닉스 미래기술연구원 TL, 장세억 SK하이닉스 사내대학(SKHU) 교수가 받았다. 이외에도 은상 3건과 동상 5건 등 혁신 특허가 선정됐다. SK하이닉스는 올해 수상자 총 19명에게 총상금 2억1500만원을 수여했다.

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SK하이닉스 측은 "(혁신특허포상) 제도를 기반으로 구성원의 연구 의욕을 고취하고 회사의 이익과 기술력이 증대하는 선순환 구조를 형성하겠다"며 "글로벌 일류 기술 기업으로 나아가기 위한 강한 특허를 지속해서 발굴하겠다"고 밝혔다.


김평화 기자 peace@asiae.co.kr

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