삼성전자, 3나노 파운드리 양산 출하식 개최

'혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다' 포부 다져

경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사(왼쪽부터)와 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장이 25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 기념촬영을 하고 있다./화성=김현민 기자 kimhyun81@

[아시아경제 박선미 기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3nm(나노미터·10억분의1m) 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 출하식 행사에는 이창양 장관 산업통상자원부, 경계현 삼성전자 DS부문장 겸 대표이사(사장)와 임직원, 협력사·팹리스 경영진 등 100여명이 참석했다.

이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표하고 "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"고 당부했다. 또 "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라 강조했다.

경 사장은 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"고 임직원들을 격려하며 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작한데 이어 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다. 삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 시스템온칩(SoC) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력 중이다.

정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 이날 행사에서 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조·인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다. 아울러 삼성전자 파운드리사업부가 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다'라는 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부도 밝혔다.

협력사·팹리스 기업 경영진들도 이번 3나노 파운드리 출하에 대한 기대감을 드러냈다. 반도체 장비 업체 원익IPS 이현덕 대표이사는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다"며 "앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다"고 밝혔다.

팹리스 업체 텔레칩스의 이장규 대표이사는 "텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"며 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.

박선미 기자 psm82@asiae.co.kr