이동기 삼성전자 메모리사업부 스토리지 솔루션 담당(상무)은 3일 서울 장충동 신라호텔에서 열린 '2015 인베스터스 포럼'에서 "V낸드와 함께 플랫 낸드의 공정미세화도 함께 진행할 계획"이라며 이같은 계획을 밝혔다.
이 상무는 "올해 3세대 SSD는 곧 출시되며 신기술을 즐길 수 있다"며 "HDD와 같은 가격에 더 많은 혜택을 제공하는 SSD를 출시, 하이엔드급에서 점차 중저가급 SSD로 내려가도록 할 것"이라고 전했다.
이어 "NVMe(Non-Volatile Memery express) 기술을 적용한 SSD도 인텔과 함께 올해 안으로 출시할 것"이라며 초당 4기가바이트를 생산할 수 있도록 하겠다"고 밝혔다. 기존 SSD보다 85% 작게 만들어 제조사들이 배터리 사이즈를 10% 이상 줄일 수 있는 SSD도 내놓을 예정이다.
한편 삼성전자는 V낸드 기술이 한계에 다다른 것 아니냐는 질문에 대해서는 부인했다. 이 상무는 "어린 시절 아파트는 10층이었는데 지금엔 100층인 것처럼, 기술혁신은 항상 일어난다"면서 "3세대 SSD가 출시되면 한층 더 높은 기술혁신을 볼 수 있을 것"이라고 말했다.
3비트 V낸드는 3차원 수직구조로 집적도를 높인 V낸드에 데이터 저장 효율을 높인 3비트 기술(TLC·트리플레벨셀)을 적용한 고성능 낸드플래시다. 기존의 10나노미터(nm, 1nm=10억분의 1m)급 평면구조 낸드플래시에 비해 생산성이 2배 이상 높아 원가경쟁력에서 월등한 뿐 아니라 데이터 처리속도, 내구성, 전력 효율성도 크게 향상됐다.
김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr
손선희 기자 sheeson@asiae.co.kr
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