하이닉스, MWC 첫 참가..모바일 시장 공략

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[아시아경제 박지성 기자]하이닉스가 27일부터 스페인 바르셀로나에서 열리는 ‘모바일 월드 콩그레스(MWC) 2012’에 처음으로 참가해 ‘스마트 모바일 솔루션’ 시장 확대를 위한 관련 제품을 대거 선보였다. SK텔레콤과 동반 참가를 통해 글로벌 시장에서 양사의 시너지도 모색했다.

하이닉스는 ‘하이닉스가 유비쿼터스 세상을 열어갑니다’라는 주제로 다양한 ‘스마트 모바일 솔루션’을 전시했다. 20나노급 4기가비트(Gb) DDR3 및 30나노급 4Gb LPDDR3 D램 등 모바일 시장용 제품과 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체 등을 선보였다.

하이닉스가 개발한 20나노급 4Gb DDR3 D램은 기존 PC 및 서버시장은 물론 급속도로 성장하는 태블릿과 울트라북 등의 시장 대응을 위한 제품이다. 기존 30나노급 D램보다 60% 이상 생산성이 높고 약 40% 가량 소비전력 절감이 가능하다. 하이닉스는 올 상반기부터 이 제품 양산에 들어간다.

최근 양산을 시작한 모바일 D램인 30나노급 4Gb LPDDR3은 멀티칩 패키지(MCP)와 패키지 온 패키지(PoP)에 들어가는 제품이다. 2단 적층한 8Gb(1GB)와 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품 등으로 고객에게 제공된다. LPDDR2 대비 동일한 수준의 대기전력을 유지하면서도 1.5배에 달하는 동작 속도 개선을 이뤘다. 이외에도 128GB~512GB 용량의 SSD(Solid State Drive)와 모바일 기기에서 영상을 담당하는 CIS(CMOS Image Sensor) 등 다양한 모바일 솔루션을 출품했다.
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하이닉스는 스마트카의 인포테인먼트에 탑재되는 30나노급 4Gb DDR3 컨슈머 D램과 eMMC(e-NAND) 낸드플래시도 전시했다. 하이닉스는 비주얼 컴퓨팅 분야의 선두업체인 엔비디아와의 전략적 제휴를 통해 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체 시장에 본격 진입했다. 지난 1월 개최된 CES에서는 하이닉스의 D램 및 e-NAND가 탑재된 독일 유수 브랜드 자동차가 대중에게 첫 선을 보였다.

이번 행사에서 하이닉스는 차세대 메모리 반도체인 STT-M램(Spin Transfer Torque Magnetic RAM) 및 Re램(Resistance RAM)에 대한 개념을 제시했다. 차세대 패키징 기술인 TSV(관통전극 기술)도 순조롭게 개발이 진행되고 있다고 설명했다.

하이닉스 관계자는 "이번 MWC 참가가 글로벌 모바일 사업자들과 네트워크를 확대하고 ‘스마트 모바일 솔루션’ 관련 다양한 분야로 진출을 위한 마케팅 및 고객 협력 기반이 강화되는 계기가 될 것"이라며 "특히 SK텔레콤과 한 가족이 됨에 따라 모바일 생태계 활용 등 시너지 효과로 모바일 시장에서의 위상을 더욱 확대해 나갈 계획"이라고 말했다.



박지성 기자 jiseong@