日엘피다, 내달부터 30나노급 반도체 양산

[아시아경제 공수민 기자] 일본 반도체 업체 엘피다 메모리가 글로벌 반도체업계 리더인 삼성전자를 따라잡기 위해 내달부터 30나노급 반도체를 양산할 계획이다.

27일 니혼게이자이 신문은 소식통을 인용해 엘피다가 30나노미터 이하 폭의 D램 제품 월간 생산량을 현 300mm 실리콘 웨이퍼 수천장 규모에서 연말까지 웨이퍼 12만장으로 늘릴 계획이라고 보도했다.

30나노급은 40나노급을 생산할 때 보다 웨이퍼 한 개당 반도체 생산량이 45% 가량 증가하기 때문에 생산 비용을 낮추는 효과를 낼 수 있다.

엘피다는 올 1월부터 30나노급 반도체를 히로시마현 소재 공장에서 생산하기 시작했으며 지난달 11일 대지진에도 불구하고 D램 생산을 늘리기 위한 충분한 실리콘 웨이퍼와 원자재를 확보한 것으로 알려졌다.

엘피다는 오는 3분기(7~9월)에 히로시마 공장 생산량의 약 30%를 새로운 반도체 생산에 집중할 계획이다. 또 월간 웨이퍼 8만5000장 생산 능력을 갖춘 대만 자회사 레드칩 일렉트로닉스에 기술을 이전해 연말까지 30나노급 생산에 전념하도록 할 방침이다.

스마트폰과 태블릿 PC 열풍에 D램 수요가 급증한 가운데 삼성전자는 지난해 7월부터 30나노급 D램을 양산하기 시작했다.

공수민 기자 hyunhj@