日 엘피다, 30나노미터 초반급 D램 생산

[아시아경제 조해수 기자] 일본 반도체업체 엘피다 메모리가 30나노미터 초반급 공정을 적용한 D램 개발에 성공했다.

29일 니혼게이자이신문에 따르면 엘피다가 30나노 초반급 D램을 올 연말부터 양산에 들어갈 계획이라고 발표했다.

신문은 엘피다가 30나노 초반급 공정에 성공함으로써 지난 7월부터 30나노 중반급 D램을 생산한 삼성전자를 제치고 세계 최첨단 D램 기술을 보유하게 됐다고 설명했다. 이전까지 30나노급 D램을 생산할 수 있었던 업체는 삼성전자가 유일했다.

30나노 초반급 D램의 생산성은 40나노 중반급 D램에 비해 45% 높고 생산비용은 30% 낮다. 전력소비도 크게 줄일 수 있어, 고효율 및 친환경 제품이라는 평가다.

또한 엘피다는 새로운 더블 페터닝(double patterning) 기술 개발에 성공, 대규모 투자 없이 기존 설비를 이용해 최첨단 D램을 양산할 수 있게 됐다.

30나노 초반급 D램은 오는 12월께 히로시마 공장에서 양산에 들어간 후, 내년 말까지 대만 합작사 렉스칩에서도 생산될 예정이다. 현재 두 지역의 공장은 월간 21만장의 직경 30mm 실리콘 웨이퍼를 생산하고 있다. 엘피다는 수년안에 40나노 아래급 반도체 생산 비중을 70%까지 확대할 방침이다.




조해수 기자 chs900@