반도체 1위 명성, 차세대 메모리반도체도 ‘쑥’

P램, STT-M램, Re램을 모두 합친 특허출원건수 크게 늘어…삼성전자, 하이닉스 등 앞장

[아시아경제 왕성상 기자] 우리나라가 갖고 있는 ‘반도체 1위 명성’을 차세대 메모리반도체에서 계속 이어갈 수 있을 것이란 전망이 나왔다.

10일 특허청에 따르면 D램, 플래시메모리 등 기존의 메모리반도체를 대체할 수 있는 P램(상변화 메모리), STT-M램(자기 메모리), Re램(저항변화 메모리)의 특허출원 건수가 꾸준히 늘어 차세대 메모리반도체의 전망을 밝게 하고 있다.

◆국내출원인, 외국인보다 3배 이상 많아=P램, STT-M램, Re램을 모두 합친 특허출원건수는 2009년의 경우 2004년보다 두 배 이상 불었다. P램의 출원이 많았고 STT-M램과 Re램의 증가세가 두드러졌다.

국내·외 출원인별 출원은 P램, STT-M램, Re램을 모두 합친 특허출원건수에서 국내출원인 이 76%로 국외출원인(24%)보다 3배 이상 높았다.

품목별론 ▲P램은 한국 772건(93%), 미국 32건(4%), 일본 16건(2%) ▲Re램은 한국 234(77%), 일본 32건(11%), 미국 24건(8%) ▲STT-M램은 한국 183건(43%), 일본 147건(35%), 미국 78건(18%) 순으로 우리나라 특허출원건수가 매우 많았다.

반도체회사 중 국내 출원인으론 삼성전자·하이닉스, 국외출원인으론 일본 도시바·소니·히다치·후지쯔, 미국의 퀄콤·마이크론·그란디스 등이 다출원인이다.

주목할 점은 국외 반도체업체들보다 삼성전자와 하이닉스는 P램, STT-M램, Re램 모든 분야에서 고루 앞장서 출원하고 있는 것이다.

기존 D램과 플래시메모리 등에서 삼성전자가 세계 1위를 지켜왔으나 기존 반도체기술은 10나노 이하에선 기술적 한계에 이르게 된다는 게 전문가들 견해다.

D램의 고집적성, 플래시메모리의 비휘발성, S램의 고속 동작을 모두 할 수 있는 차세대메모리반도체로 P램, STT-M램, Re램이 꼽히고 있다.

P램은 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리다. STT-M램은 자성체의 자기(磁氣)변화를 이용, 데이터를 담는 방식의 메모리며 Re램은 물질의 저항변화로 데이터를 저장하는 방식의 메모리다.

차세대 메모리반도체에 대한 최근의 활발한 특허출원은 국내 반도체업체가 기존 제품 개발은 물론 미래를 대비한 차세대 메모리반도체 개발에도 노력을 힘쓰고 연구개발에도 꾸준히 투자하고 있다는 증거다.

◆삼성전자와 하이닉스 관련기술 착실히 확보=세계 메모리반도체 1, 2위인 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리반도체 경쟁에 대비, 관련기술을 착실히 확보하고 있는 것이다.

P램의 연구개발이 비교적 빠르게 이뤄져 P램이 상용화의 선두를 달리고 있다. 삼성전자는 2009년 60나노급 공정을 적용한 P램 양산을 시작했고 휴대전화에 채용되는 노어플래시대체용으로 기대된다.

STT-M램과 Re램은 높은 집적도 할 수 있고 빠른 동작속도로 D램과 낸드플래시를 대체할 것으로 점쳐진다.

반도체는 올 상반기에도 품목별 수출액 2위(245.5억 달러)를 기록한 수출효자품목으로 우리 경제에 상당한 영향을 미치고 있다.

왕성상 기자 wss4044@