SK하이닉스는 9일(현지시간)부터 11일까지 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린
'플래시 메모리 서밋 2016'에서 72단 3D 낸드플래시 웨이퍼를 공개했다.
업계 관계자는 "이번 72단 3D 낸드플래시 웨이퍼 공개로 SK하이닉스가 3D낸드 4세대 라인업으로 72단을 개발 중에 있음이 공식적으로 확인됐다"며 "다만 웨이퍼를 공개한 것으로 개발이 완료됐다고 보기는 어렵다"고 말했다.
통상 반도체는 기술 개발이 완료되더라도 수율·양산성 등을 확보한 후 양산에 들어간다. 삼성전자도 지난해 5월 샌프란시스코 벤틀리 리저브 콘퍼런스 센터에서10나노 핀펫 공정을 적용한 12인치 웨이퍼를 공개했지만 양산은 시작하지 않았다.
한편 같은 행사에서 삼성전자는 메모리 셀을 64단으로 쌓아올린 4세대 3D 낸드플래시를 공개했다. 이 제품은 512기가비트(Gb)까지 구현 가능해 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있다. 입출력 속도도 800Mbps까지 높였다. 삼성전자는 오는 64단 3D 낸드플래시를 예정대로 4분기 출시할 예정이다. 도시바는 셀당 4비트(bit)를 저장할 수 있는 QLC(Quad Level Cell) 3D 낸드플래시 개발에 착수했다고 밝혔다. QLC 제품이 상용화되면 100테라바이트(TB) 용량 SSD도 출시 될 전망이다.
원다라 기자 supermoon@asiae.co.kr
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