[아시아경제 김철현 기자]지난 10년간 나노기술 분야에서 풀리지 않는 숙제로만 여겨졌던 '반도체 나노결정 도핑 기술'이 국내 연구진에 의해 처음 개발됐다.
교육과학기술부는 서울대 현택환 교수팀이 '반도체 나노결정을 핵형성 과정에서부터 효율적으로 도핑할 수 있는 기술 개발'에 성공했다고 16일 밝혔다. 이번 연구 성과를 통해 우리나라는 차세대 나노 반도체 공정 기술을 주도할 수 있을 것으로 평가받고 있다.
교과부에 따르면 '도핑'이란 불순물을 의도적으로 주입해 물질의 전기적, 광학적, 자기적 성질을 조절하는 것으로, 실리콘에 인이나 붕소 등을 도핑하면 전기전도도를 획기적으로 향상시켜 전도성이 뛰어난 반도체를 만들 수 있다. 또한 디스플레이에 사용되는 형광체는 산화물에 금속이온이 도핑된 것이다.
연구팀 관계자는 "반도체 나노결정 도핑 기술은 나노결정의 작은 크기와 안정성 등으로 인해 기존에 보고된 도핑 효율이 1%에 불과했다"며 "이번 연구를 통해 반도체(카드뮴 셀레나이드, CdSe) 나노결정 성장 과정 중에 나노입자보다 더 작은 핵 형성과정을 화학적으로 제어하면, 망간 이온으로 10% 이상 도핑할 수 있다는 새로운 사실을 발견했다"고 말했다.
현택환 교수팀 관계자는 "도핑된 핵입자들은 자기조립과정을 통해 나노리본을 만들게 되는데 이 나노리본은 차세대 나노소자에 이용될 수 있을 것으로 기대된다"며 "또한 망간 이온이 도핑된 카드뮴 셀레나이드 나노선은 전기 및 광학적으로 제어 가능한 자성반도체 분야에 활용될 수 있을 것"이라고 밝혔다.
이 연구는 서울대 화학생물공학부 현택환 교수팀의 주도하에 ▲미국 노트르담대 물리학부 후디나(Furdnya) 교수팀 ▲텍사스주립대 화학공학과 황경순 교수팀 ▲포항공과대 물리학부 박재훈 교수팀 ▲서울대 재료공학부 김영운 교수팀 등이 참여했다.
현택환 교수는 "이번 연구결과는 반도체 나노결정의 도핑 과정을 근원에서부터 제어할 수 있는 신기술 개발"이라며 "나노반도체 산업의 발전 가능성과 자성반도체 응용 가능성을 높였다는 데 의미가 있다"고 말했다.
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김철현 기자 kch@asiae.co.kr
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