삼성 '갤럭시S8', 퀄컴 스냅드래곤835 첫 탑재…"내년 2월 MWC서 공개"

스냅드래곤835 사양표

[아시아경제 강희종 기자]퀄컴의 차세대 플래그십 스마트폰용 애플리케이션 프로세서(AP)인 스냅드래곤835의 세부 사양이 유출됐다. 이 칩셋은 내년 2월 삼성전자가 선보일 갤럭시S8에 처음으로 탑재될 것으로 전망된다.

23일 해외 IT 매체인 샘모바일에 따르면 러시아 블로거인 엘다 무르타진(Eldar Murtazin)은 스냅드래곤821의 후속인 스냅드래곤835의 사양표를 입수해 공개했다.

퀄컴은 최근 삼성전자의 10나노 핀펫 공정을 통해 스냅드래곤835를 양산할 계획이라고 발표한 바 있다. 당시 퀄컴은 이 칩셋의 세부 사양을 공개하지는 않았다.

이 사양표에 따르면 스냅드래곤835는 MSM8998이라는 모델명을 갖게 될 것으로 보인다. 퀄컴 64비트 크리요(Kryo) 200아키텍쳐 기반의 옥타코어 프로세스를 탑재했으며 아드레노(Adreno) 540 GPU와 UFS2.1 기술을 지원한다.

특히 이 사용표는 스냅드래곤835가 내년 1분기에 상용화될 예정이며 삼성전자 갤럭시S8에 적용될 것이라고 설명하고 있다. 갤럭시S8이 MWC2017에서 공개될 것이라는 점도 명시하고 있다.

이밖에 사양표에 따르면 퀄컴은 중급용 스마트폰에 탑재되는 스냅드래곤660(MSM8976 플러스)도 개발하고 있는 것으로 보인다.

스냅드래곤660은 아드레노512 GPU와 UFS2.1을 지원하며 역시 옥타코어 프로세서를 탑재한다.

이 칩셋은 삼성 14나노 LPP공정으로 생산되며 2017년 2분기에 상용화될 예정이다. 중국 오포와 비보의 스마트폰에 탑재될 것으로 보인다.

한편, 지난 18일 삼성전자는 퀄컴의 스냅드래곤835를 자사 10나노 핀펫 공정을 통해 양산하다고 발표한 바 있다.

삼성전자의 10나노 로직 공정은 기존 14나노 1세대 대비 성능은 27% 개선하고, 소비전력은 40% 절감했으며 면적효율은 약 30% 향상됐다고 회사 측은 설명했다.

스냅드래곤 835는 200개 이상 기기에 탑재 완료 및 진행 중인 스냅드래곤 820/821 프로세서의 후속 프로세서다.
강희종 기자 mindle@asiae.co.kr